データドリブンサービスを支える混載メモリ技術とその応用

藤井 英治  三河 巧  滝波 浩二  笹子 勝  

誌名
電子情報通信学会論文誌 C   Vol.J102-C   No.12   pp.366-373
公開日: 2019/11/13
Online ISSN: 1881-0217
DOI: 
論文種別: 論文
専門分野: 集積エレクトロニクス
キーワード: 
IoTデバイス,  FeRAM,  ReRAM,  ニューロモルフィックデバイス,  

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あらまし: 
データドリブンサービスを支えるIoTキーデバイスの一つである非接触ICカードに最適な超低消費電力不揮発性メモリ技術として混載FeRAMの世界初の量産化に成功し,交通用インフラの確立に貢献した.更にFeRAMでは実現できない大容量の混載による応用範囲拡大を目指して,高集積化が可能なReRAMを開発し,標準40nm CMOSプロセス上に4Mbit-ReRAMのメモリを混載し,1万回以上のエンデュランス,85℃10年以上のリテンションを実現するとともに,ReRAMの基本原理であるアナログ的な抵抗変化を重みに用いたニューロモルフィックデバイスを提案し,超低消費電力エッジAIデバイスへの適用可能性を見出した.