レアメタルフリーGa-Sn-O材料の薄膜トランジスタへの応用

松田 時宜  梅田 鉄馬  加藤 雄太  西本 大貴  杉崎 澄生  古田 守  木村 睦  

誌名
電子情報通信学会論文誌 C   Vol.J102-C   No.11   pp.305-311
公開日: 2019/10/15
Online ISSN: 1881-0217
DOI: 
論文種別: 招待論文
専門分野: 半導体材料・デバイス
キーワード: 
酸化物半導体,  薄膜トランジスタ,  RFマグネトロンスパッタリング,  NBIS,  

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あらまし: 
レアメタルフリー酸化物半導体である,Ga-Sn-O(GTO)を薄膜トランジスタ(TFT)に応用する.GTO TFTは他の酸化物半導体TFTと比較してバックチャンネル側の保護膜がなくても各種バイアスストレス条件に対する安定性に優れており,電界効果移動度も25.6 cm2/Vsと非常に良好なものが得られた.