キーワード : TFT


波長選択性をもつ有機光導電膜の特性改善―イメージセンサへの応用に向けて―
堺 俊克 高木 友望 堀 洋祐 清水 貴央 大竹 浩 相原 聡 
誌名:   
発行日: 2018/09/01
Vol. J101-C  No. 9 ; pp. 352-361
論文種別:  招待論文
専門分野: 有機エレクトロニクス
キーワード: 
有機光導電膜イメージセンサTFT積層波長選択性
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ポリSi TFTの過渡特性における自己発熱及びキンク効果の影響の分離評価
多田 憲史 廣瀬 哲也 松岡 俊匡 谷口 研二 前田 和宏 酒井 保 久保田 靖 今井 繁規 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2004/01/01
Vol. J87-C  No. 1 ; pp. 186-187
論文種別:  レター
専門分野: 
キーワード: 
TFT過渡応答自己発熱効果インパクトイオン化現象キンク効果
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チャネル形成領域両端に極薄誘電体膜をもつ新たなTFTの提案と理論検討
松尾 直人 木原 洋幸 山本 暁徳 河本 直哉 浜田 弘喜 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2003/10/01
Vol. J86-C  No. 10 ; pp. 1070-1078
論文種別:  論文
専門分野: 半導体材料・デバイス
キーワード: 
TFT誘電体膜SOIトンネリング誘電体TFT(TDTFT)ダブルSOI(DSOI)
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エキシマレーザアニールpoly-Si膜におけるレーザ照射雰囲気と照射回数が表面モフォロジーに与える影響
菅 勝行 千田 満 原 明人 三島 康由 佐々木 伸夫 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2002/08/01
Vol. J85-C  No. 8 ; pp. 630-638
論文種別:  特集論文 (低温または高温多結晶Siとアクティブマトリックス型ディスプレイ用薄膜トランジスタ論文特集)
専門分野: 
キーワード: 
エキシマレーザXeClpoly-SiTFT
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TFTの高性能化
野口 隆 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2002/08/01
Vol. J85-C  No. 8 ; pp. 609-615
論文種別:  招待論文 (低温または高温多結晶Siとアクティブマトリックス型ディスプレイ用薄膜トランジスタ論文特集)
専門分野: 
キーワード: 
TFTポリSiLCDELDSPCELASOP
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CWラテラル結晶化(CLC)技術による移動度500 cm2/Vsを超える新低温ポリSi TFT技術
佐々木 伸夫 原 明人 竹内 文代 菅 勝行 竹井 美智子 吉野 健一 千田 満 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2002/08/01
Vol. J85-C  No. 8 ; pp. 601-608
論文種別:  招待論文 (低温または高温多結晶Siとアクティブマトリックス型ディスプレイ用薄膜トランジスタ論文特集)
専門分野: 
キーワード: 
低温ポリシリコンCWラテラル結晶化CLC移動度TFT
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反応性熱CVD法による多結晶Si1-xGex 薄膜の低温堆積とTFTへの応用
清水 耕作 張 建軍 半那 純一 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2002/08/01
Vol. J85-C  No. 8 ; pp. 616-623
論文種別:  招待論文 (低温または高温多結晶Siとアクティブマトリックス型ディスプレイ用薄膜トランジスタ論文特集)
専門分野: 
キーワード: 
熱CVD低温結晶成長多結晶シリコンゲルマニウムTFT
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高性能多結晶Si薄膜トランジスタの作製と高精細LCDライトバルブの特性改善
浜田 弘喜 阿部 寿 宮井 良雄 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2001/02/01
Vol. J84-C  No. 2 ; pp. 65-75
論文種別:  招待論文
専門分野: 
キーワード: 
poly-SiSPCELATFTLCD
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LCDパネルにおけるUVシール材の適用検討
森井 康裕 田畑 伸 松川 文雄 春名 一志 寺本 和良 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1999/05/25
Vol. J82-C2  No. 5 ; pp. 267-272
論文種別:  論文
専門分野: 電子ディスプレイ
キーワード: 
紫外線硬化型シール材紫外線TFTLCD接着強度数値解析
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リバース転写法によるレジスト塗布のTFT工程への適用
鵜飼 育弘 西村 和久 井川 昭彦 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1997/06/25
Vol. J80-C2  No. 6 ; pp. 216-217
論文種別:  レター論文
専門分野: 
キーワード: 
ホトレジストリバース転写法TFT
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リバース転写法によるレジスト塗布のTFT工程への適用
鵜飼 育弘 西村 和久 井川 昭彦 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1997/06/25
Vol. J80-C1  No. 6 ; pp. 290-291
論文種別:  レター論文
専門分野: 
キーワード: 
ホトレジストリバース転写法TFT
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トップゲートTFTによる省プロセス高開口率ライトバルブ
鵜飼 育弘 湯川 禎三 中川 卓宣 中村 英樹 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1997/03/25
Vol. J80-C2  No. 3 ; pp. 113-114
論文種別:  レター論文
専門分野: 
キーワード: 
TFTライトバルブ高開口率省プロセス
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トップゲートTFTによる省プロセス高開口率ライトバルブ
鵜飼 育弘 湯川 禎三 中川 卓宣 中村 英樹 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1997/03/25
Vol. J80-C1  No. 3 ; pp. 130-131
論文種別:  レター論文
専門分野: 
キーワード: 
TFTライトバルブ高開口率省プロセス
 あらまし | 本文:PDF(133.1KB)

レーザリペア技術を用いたTFT-LCDの無点欠陥化
鵜飼 育弘 安居 勝 湯川 禎三 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1997/02/25
Vol. J80-C1  No. 2 ; pp. 90-91
論文種別:  レター論文
専門分野: 
キーワード: 
TFTリペアレーザカットレーザウェルド蓄積容量
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レーザリペア技術を用いたTFT-LCDの無点欠陥化
鵜飼 育弘 安居 勝 湯川 禎三 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1997/02/25
Vol. J80-C2  No. 2 ; pp. 85-86
論文種別:  レター論文
専門分野: 
キーワード: 
TFTリペアレーザカットレーザウェルド蓄積容量
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TFT-LCDの高精度シミュレーション技術
太田 益幸 津村 誠 大和田 淳一 大井田 淳 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1994/07/25
Vol. J77-C2  No. 7 ; pp. 293-300
論文種別:  論文
専門分野: 電子ディスプレイ
キーワード: 
薄膜トランジスタ液晶ディスプレイシミュレーションフィードスルー電圧真性容量TFTLCD
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多結晶シリコンTFTと駆動回路内蔵技術
大島 弘之 松枝 洋二郎 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1993/05/25
Vol. J76-C2  No. 5 ; pp. 227-234
論文種別:  特集論文 (ジャイアントマイクロエレクトロニクスとその応用論文特集)
専門分野: 
キーワード: 
TFTLCD多結晶シリコン駆動国路
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CVD-SiO2/PECVD-SiNx積層構造ゲート絶縁膜を用いたa-Si・TFT
福田 加一 茨木 伸樹 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1993/05/25
Vol. J76-C2  No. 5 ; pp. 184-191
論文種別:  特集論文 (ジャイアントマイクロエレクトロニクスとその応用論文特集)
専門分野: 
キーワード: 
CVDSiO2TFTa-Siゲート絶縁膜
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凝固過程制御によるエキシマレーザアニールpoly-Si
能口 繁 桑原 隆 栗山 博之 花房 寛 木山 精一 中野 昭一 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1993/05/25
Vol. J76-C2  No. 5 ; pp. 241-248
論文種別:  特集論文 (ジャイアントマイクロエレクトロニクスとその応用論文特集)
専門分野: 
キーワード: 
レーザアニールp-SiTFT凝固速度
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エキシマレーザ照射で形成した逆スタガ構造多結晶シリコン薄膜トランジスタ
小野 記久雄 小川 和宏 作田 弘樹 小西 信武 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1993/05/25
Vol. J76-C2  No. 5 ; pp. 249-255
論文種別:  特集論文 (ジャイアントマイクロエレクトロニクスとその応用論文特集)
専門分野: 
キーワード: 
薄膜トランジスタ液晶ディスプレイ多結晶シリコンエキシマレーザTFTLCD
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a-Si:H TFTオフ電流の過渡特性
 友信 鈴木 公平 鈴木 幸治 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1993/05/25
Vol. J76-C2  No. 5 ; pp. 199-203
論文種別:  特集論文 (ジャイアントマイクロエレクトロニクスとその応用論文特集)
専門分野: 
キーワード: 
液晶ディスプレイTFT応答オフ電流捕獲準位
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水素とアンモニアを用いたハイブリッド励起によるシリコン直接窒化
山本 茂市 右高 正俊 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1992/09/25
Vol. J75-C2  No. 9 ; pp. 504-512
論文種別:  論文
専門分野: 半導体材料・デバイス
キーワード: 
シリコン直接窒化ハイブリッド励起光励起水素ラジカル励起TFT
 あらまし | 本文:PDF(599.8KB)

Frame Rate Control駆動方式を用いたTFT-LCD中間調表示特性における透過率の温度依存性
田中 武 小野 記久雄 小西 信武 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1992/05/25
Vol. J75-C2  No. 5 ; pp. 216-223
論文種別:  論文
専門分野: 電子ディスプレイ
キーワード: 
液晶ディスプレイ中間調駆動法TFT応答
 あらまし | 本文:PDF(514KB)