キーワード : SiGe


SIMOX基板の埋め込み酸化膜をゲート酸化膜に用いたSiGe p-MOSFETの電気特性
藤永 清久 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2014/05/01
Vol. J97-C  No. 5 ; pp. 246-248
論文種別:  ショートノート
専門分野: 
キーワード: 
SiGep-MOSFETSIMOXバックゲート実効移動度
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MOSFETとpn接合ダイオードにより構成される新しいバラクタ回路を用いた広帯域電圧制御発振器
太田 宙志 吉増 敏彦 倉智 聡 伊藤 信之 米村 浩二 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2008/12/01
Vol. J91-C  No. 12 ; pp. 702-710
論文種別:  特集論文 (マイクロ波論文(大学発)特集)
専門分野: 能動回路
キーワード: 
バラクタ回路広帯域VCOSiGeMOSFETpn接合ダイオード
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SiGe表面へのSiH4の吸着過程
鎌倉 望 瀬山 顕雄 篠原 正典 木村 康男 庭野 道夫 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2001/09/01
Vol. J84-C  No. 9 ; pp. 883-887
論文種別:  論文
専門分野: 半導体材料・デバイス
キーワード: 
シランSiGe赤外分光解離吸着ヘテロエピタキシ
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ひずみ補償によるSiGeB/Siヘテロ構造のB熱安定性向上
坂野 順一 古川 静二郎 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1993/10/25
Vol. J76-C2  No. 10 ; pp. 655-662
論文種別:  論文
専門分野: 半導体材料・デバイス
キーワード: 
SiGeB拡散ひずみ
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