キーワード : SiC


電気・熱・応力連成回路解析によるSiCパワーモジュール電気特性評価法の構築
加藤 光章 牛流 章弘 加納 明 高尾 和人 泉 聡志 廣畑 賢治 
誌名:   
発行日: 2019/03/01
Vol. J102-C  No. 3 ; pp. 30-37
論文種別:  特集論文 (社会システムの変革を牽引するヘテロインテグレーション技術論文特集)
専門分野: 
キーワード: 
パワーモジュールSiCピエゾ抵抗残留応力連成解析
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4H-SiC半導体装置高信頼SiO2/SiN/SiO2(ONO)ゲート絶縁膜
谷本 智 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2006/10/01
Vol. J89-C  No. 10 ; pp. 715-724
論文種別:  論文
専門分野: 半導体材料・デバイス
キーワード: 
SiC超低損失電力素子パワーデバイス炭化珪素半導体ゲート酸化膜ONO信頼性経時絶縁破壊
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SiCデバイスのオーミックコンタクト形成技術
谷本 智 桐谷 範彦 星 正勝 大串 秀世 荒井 和雄 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2003/04/01
Vol. J86-C  No. 4 ; pp. 359-367
論文種別:  招待論文 (ワイドギャップ半導体とその電子デバイス応用論文小特集)
専門分野: 
キーワード: 
炭化ケイ素SiCコンタクトパワーデバイスMOSFET
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SiC高周波MESFETの開発
新井 学 本田 弘毅 小野 修一 沢崎 浩史 尾形 誠 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2003/04/01
Vol. J86-C  No. 4 ; pp. 386-395
論文種別:  招待論文 (ワイドギャップ半導体とその電子デバイス応用論文小特集)
専門分野: 
キーワード: 
SiC高周波高出力MESFET出力電力密度
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ワイドギャップ半導体の高周波パワー応用
太田 順道 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1998/01/25
Vol. J81-C2  No. 1 ; pp. 17-23
論文種別:  招待論文 (ワイドギャップ半導体とそのデバイス応用論文小特集)
専門分野: ワイドギャップ半導体応用システム
キーワード: 
高周波移動体通信パワートランジスタGaAsSiC
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SiC縦型MOSFETの現状
恩田 正一 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1998/01/25
Vol. J81-C2  No. 1 ; pp. 134-139
論文種別:  招待論文 (ワイドギャップ半導体とそのデバイス応用論文小特集)
専門分野: シリコンカーバイド(SiC)
キーワード: 
SiCSiC MOSFET反転型MOSFET蓄積型MOSFETトレンチFETプレーナFETパワーデバイス
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ワイドギャップパワー半導体素子の性能と適用インパクトSiCを中心にして
菅原 良孝 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1998/01/25
Vol. J81-C2  No. 1 ; pp. 8-16
論文種別:  招待論文 (ワイドギャップ半導体とそのデバイス応用論文小特集)
専門分野: ワイドギャップ半導体応用システム
キーワード: 
SiCパワー半導体素子ダイオードMOSFETSITサイリスタ素子性能指数電力変換装置
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