キーワード : Si


振幅変調を行うRFICにおけるPA-VCO間干渉の解析
堤 恒次 新庄 真太郎 森 一富 下沢 充弘 末松 憲治 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2013/10/01
Vol. J96-C  No. 10 ; pp. 275-283
論文種別:  論文
専門分野: マイクロ波,ミリ波
キーワード: 
SiRFICPAVCO振幅変調干渉
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16O+注入Si基板の分光エリプソによるドーズ量見積り法
飯川 裕文 中尾 基 泉 勝俊 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2003/01/01
Vol. J86-C  No. 1 ; pp. 74-75
論文種別:  レター論文
専門分野: 
キーワード: 
Si16O+注入ドーズ量NRAエリプソメトリ
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ECRプラズマCVDによるSi薄膜の選択エピタキシャル成長
高田 俊明 佐々木 公洋 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1999/04/25
Vol. J82-C2  No. 4 ; pp. 197-202
論文種別:  論文
専門分野: 半導体材料・デバイス
キーワード: 
選択成長低温エピタキシャル成長エッチングECRプラズマCVDSi
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ショットキー障壁形成機構と制御可能性について
廣瀬 和之 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1999/01/25
Vol. J82-C1  No. 1 ; pp. 1-6
論文種別:  解説論文
専門分野: 
キーワード: 
金属/半導体界面ショットキー障壁制御GaAsSi
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ショットキー障壁形成機構と制御可能性について
廣瀬 和之 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1999/01/25
Vol. J82-C2  No. 1 ; pp. 1-6
論文種別:  解説論文
専門分野: 
キーワード: 
金属/半導体界面ショットキー障壁制御GaAsSi
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Si,Geのイオンビームスパッタ過程のモンテカルロシミュレーション
水谷 道夫 佐々木 公洋 畑 朋延 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1998/02/25
Vol. J81-C2  No. 2 ; pp. 245-250
論文種別:  論文
専門分野: 半導体材料・デバイス
キーワード: 
モンテカルロシミュレーションイオンビームスパッタ法SiGe
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