キーワード : SOI


MOS構造の重イオン照射誘起電流及びトータルドーズ効果
高橋 芳浩 平尾 敏雄 小野田 忍 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2012/09/01
Vol. J95-C  No. 9 ; pp. 196-203
論文種別:  論文
専門分野: 半導体材料・デバイス
キーワード: 
MOS構造シングルイベント効果トータルドーズ効果照射誘起電流SOI
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マルチファンクションプログラマブルSOI-演算メモリMFPM
島野 裕樹 有本 和民 藤野 毅 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 D
発行日: 2010/06/01
Vol. J93-D  No. 6 ; pp. 931-948
論文種別:  論文
専門分野: 計算機システム
キーワード: 
SOIプログラマブルTCAM文字列パターン検索
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フォトニック結晶回路とシリコン細線導波路の高効率接続法
鳥羽田 明広 齊藤 晋聖 小柴 正則 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2006/11/01
Vol. J89-C  No. 11 ; pp. 933-940
論文種別:  論文
専門分野: 光エレクトロニクス
キーワード: 
フォトニック結晶光波回路Si細線SOI光導波路接続波長合分波回路
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Si細線導波路
馬場 俊彦 坂井 篤 深澤 達彦 大野 文彰 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2005/06/01
Vol. J88-C  No. 6 ; pp. 363-373
論文種別:  招待論文 (導波路型光デバイス論文特集)
専門分野: 
キーワード: 
Si細線光導波路シリコンフォトニクスSOI光集積回路
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チャネル形成領域両端に極薄誘電体膜をもつ新たなTFTの提案と理論検討
松尾 直人 木原 洋幸 山本 暁徳 河本 直哉 浜田 弘喜 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2003/10/01
Vol. J86-C  No. 10 ; pp. 1070-1078
論文種別:  論文
専門分野: 半導体材料・デバイス
キーワード: 
TFT誘電体膜SOIトンネリング誘電体TFT(TDTFT)ダブルSOI(DSOI)
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Silicon-on-insulator (SOI) 構造デバイスと今後の課題
大村 泰久 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2003/01/01
Vol. J86-C  No. 1 ; pp. 9-22
論文種別:  解説論文
専門分野: 
キーワード: 
SOIMOSFET高速動作低消費電力耐環境性短チャネル効果基板浮遊効果量子効果フォトニクス
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高抵抗Si基板を用いた2 GHz帯SOI低雑音増幅器
吉増 敏彦 アルベルト O. アダン 丹波 憲之 東 賢一 福見 公考 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2002/08/01
Vol. J85-C  No. 8 ; pp. 737-744
論文種別:  論文
専門分野: マイクロ波,ミリ波
キーワード: 
SOI低雑音増幅器高抵抗Si基板スパイラルインダクタ
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低温ウェーハボンディングとその超高速デバイスへの応用
児玉 聡 石橋 忠夫 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2001/10/01
Vol. J84-C  No. 10 ; pp. 926-935
論文種別:  解説論文
専門分野: 
キーワード: 
ウェーハボンディングSOIペアゲートFETUTC-PD集積化パッケージング
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SOIウェーハの表面欠陥評価とそのデバイス特性への影響
成岡 英樹 服部 信美 岩松 俊明 一法師 隆志 須藤 充 中井 哲弥 山本 秀和 益子 洋治 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2001/06/01
Vol. J84-C  No. 6 ; pp. 500-507
論文種別:  論文
専門分野: 半導体材料・デバイス
キーワード: 
SOISIMOX表面欠陥酸化膜耐圧BOXリーク
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しきい値電圧を出力信号で制御する高速・低消費電力SOI-CMOS回路
樋口 久幸 池田 隆英 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2000/06/25
Vol. J83-C  No. 6 ; pp. 487-494
論文種別:  特集論文 (低電力LSI論文小特集)
専門分野: 
キーワード: 
SOICMOS低消費電力高速回路
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固相結晶成長法により作製されたlateral Power MOS FET の温度特性 のデバイスパラメータ依存性
樹神 雅人 杉山 隆英 上杉 勉 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1999/06/25
Vol. J82-C2  No. 6 ; pp. 308-313
論文種別:  論文
専門分野: 半導体材料・デバイス
キーワード: 
SOISPEtemperaturelateral Power MOS FET
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SOI MOSFETにおける各端子間容量の特徴の考察
藤並 秀典 北畑 豊 舟本 典彦 大村 泰久 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1998/08/25
Vol. J81-C2  No. 8 ; pp. 741-742
論文種別:  レター
専門分野: 
キーワード: 
SOIMOSFET端子間容量チャージシートモデル
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SPE法によるSOI層の熱酸化膜の評価
樹神 雅人 船橋 博文 光嶋 康一 多賀 康訓 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1997/05/25
Vol. J80-C2  No. 5 ; pp. 151-156
論文種別:  論文
専門分野: 半導体材料・デバイス
キーワード: 
SOISPELPCVDOXIDE
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SPE法によるSOI層中の不純物拡散
樹神 雅人 上杉 勉 船橋 博文 光嶋 康一 多賀 康訓 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1997/05/25
Vol. J80-C2  No. 5 ; pp. 181-183
論文種別:  レター
専門分野: 
キーワード: 
SOISPELPCVD拡散
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埋込みゲートを有する縦型MOS FET
樹神 雅人 上杉 勉 光嶋 康一 多賀 康訓 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1997/05/25
Vol. J80-C2  No. 5 ; pp. 157-163
論文種別:  論文
専門分野: 半導体材料・デバイス
キーワード: 
SOISPELPCVD縦型MOSPower MOS埋込みゲートLateral SOI MOS
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SiH4を用いた清浄表面形成法によるSPE技術とSOI層の評価
樹神 雅人 船橋 博文 光嶋 康一 多賀 康訓 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1996/10/25
Vol. J79-C2  No. 10 ; pp. 507-513
論文種別:  論文
専門分野: 半導体材料・デバイス
キーワード: 
SOIMOSFETLPCVDSPE
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