キーワード : PZT


高集積ロジックLSIに向けたPZT薄膜キャパシタ/Wプラグ構造形成と低電圧動作に関する研究
青木 克裕 迫田 智幸 橋本 聡 福田 幸夫 半田 治 江本 知正 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1999/11/25
Vol. J82-C2  No. 11 ; pp. 618-624
論文種別:  論文
専門分野: 半導体材料・デバイス
キーワード: 
PZTIr電極TiN強誘電体メモリ低電圧動作酸素バリヤ
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強誘電体不揮発性メモリの開発動向
中村 孝 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1999/09/25
Vol. J82-C1  No. 9 ; pp. 509-517
論文種別:  解説論文
専門分野: 
キーワード: 
強誘電体メモリPZTIr系電極低電圧化STCセル
 あらまし | 本文:PDF(532.5KB)

強誘電体不揮発性メモリの開発動向
中村 孝 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1999/09/25
Vol. J82-C2  No. 9 ; pp. 477-485
論文種別:  解説論文
専門分野: 
キーワード: 
強誘電体メモリPZTIr系電極低電圧化STCセル
 あらまし | 本文:PDF(532.4KB)

セラミック基板を用いたBGS波共振子とその応用
諸角 和彦 門田 道雄 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1995/11/25
Vol. J78-C1  No. 11 ; pp. 500-506
論文種別:  特集論文 (圧電デバイス論文特集)
専門分野: バルク波デバイス
キーワード: 
セラミック共振子BGS波端面反射共振子PZTトラップAFTVCO
 あらまし | 本文:PDF(522.1KB)