キーワード : MOSFET


低電源電圧ミリ波CMOS回路
藤島 実 天川 修平 高塚 弘隆 
誌名:   
発行日: 2018/09/01
Vol. J101-C  No. 9 ; pp. 362-369
論文種別:  招待論文
専門分野: 集積エレクトロニクス
キーワード: 
ミリ波CMOS集積回路低消費電力低電源電圧MOSFET
 あらまし | 本文:PDF(1MB)

酸化ガリウムパワーデバイス開発の現状
東脇 正高 倉又 朗人 村上 尚 熊谷 義直 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2016/09/01
Vol. J99-C  No. 9 ; pp. 448-455
論文種別:  招待論文
専門分野: 半導体材料・デバイス
キーワード: 
酸化ガリウムフィールドプレートMOSFETハライド気相成長法ショットキーバリアダイオード
 あらまし | 本文:PDF(948.9KB)

MOSFETとpn接合ダイオードにより構成される新しいバラクタ回路を用いた広帯域電圧制御発振器
太田 宙志 吉増 敏彦 倉智 聡 伊藤 信之 米村 浩二 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2008/12/01
Vol. J91-C  No. 12 ; pp. 702-710
論文種別:  特集論文 (マイクロ波論文(大学発)特集)
専門分野: 能動回路
キーワード: 
バラクタ回路広帯域VCOSiGeMOSFETpn接合ダイオード
 あらまし | 本文:PDF(698.4KB)

短波帯高効率AM送信機実現に向けての検討
山添 雅彦 生岩 量久 若井 一顕 角谷 知秀 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2006/04/01
Vol. J89-C  No. 4 ; pp. 145-153
論文種別:  論文
専門分野: 電子回路
キーワード: 
短波帯高効率送信機電力増幅器MOSFET
 あらまし | 本文:PDF(2.4MB)

チップスタック型マルチチップ実装におけるMOSFETの移動度の変動について
池田 晃裕 浜口 淳 小木 博志 岩崎 一也 服部 励治 黒木 幸令 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2005/11/01
Vol. J88-C  No. 11 ; pp. 866-873
論文種別:  特集論文 (先端電子デバイス実装技術と解析・評価技術の最新動向論文特集)
専門分野: SiP応力解析技術
キーワード: 
三次元実装応力塑性変形MOSFET移動度
 あらまし | 本文:PDF(548.3KB)

CMOSFETを用いた電流帰還型Companding積分器の伸長関数の一般化と構成法の提案
高井 伸和 折野 秀紀 山形 慎 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 A
発行日: 2005/04/01
Vol. J88-A  No. 4 ; pp. 550-552
論文種別:  レター
専門分野: 
キーワード: 
電流帰還型compandingMOSFET
 あらまし | 本文:PDF(391.3KB)

リングオシレータによるスペクトル拡散方式
有馬 裕 中崎 佳彦 西川 あゆみ 浅野 種正 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2004/07/01
Vol. J87-C  No. 7 ; pp. 586-587
論文種別:  レター
専門分野: 
キーワード: 
スペクトル拡散EMIMOSFETチャネルサイズ特性変調
 あらまし | 本文:PDF(643.8KB)

微細MOSFETのリーク電流を考慮したシステムLSIの高速低消費電力設計法の検討
渡辺 重佳 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2003/09/01
Vol. J86-C  No. 9 ; pp. 1034-1037
論文種別:  ショートノート
専門分野: 
キーワード: 
システムLSI並列処理動作時の消費電力MOSFETリーク電流
 あらまし | 本文:PDF(665.9KB)

高精度品質保証期限モニタ回路
吉村 隆治 廣瀬 哲也 井戸 徹 松岡 俊匡 谷口 研二 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2003/09/01
Vol. J86-C  No. 9 ; pp. 1041-1043
論文種別:  ショートノート
専門分野: 
キーワード: 
MOSFET弱反転領域劣化度モニタ品質保証期限
 あらまし | 本文:PDF(427.6KB)

MOSFETのマッチング特性の高精度評価のためのテスト回路
清水 由幸 中村 光男 松岡 俊匡 谷口 研二 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2003/07/01
Vol. J86-C  No. 7 ; pp. 726-733
論文種別:  論文
専門分野: 集積エレクトロニクス
キーワード: 
MOSFETチップ内ばらつきしきい値電圧トランスコンダクタンスケルビン法
 あらまし | 本文:PDF(601.5KB)

微細MOSFETのゲートリーク電流の低消費電力用2電源方式に及ぼす影響に関する検討
渡辺 重佳 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2003/06/01
Vol. J86-C  No. 6 ; pp. 658-660
論文種別:  レター
専門分野: 
キーワード: 
システムLSIゲートリーク電流2電源方式動作時の消費電力MOSFET
 あらまし | 本文:PDF(540.2KB)

SiCのMOS界面制御技術
矢野 裕司 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2003/04/01
Vol. J86-C  No. 4 ; pp. 368-375
論文種別:  招待論文 (ワイドギャップ半導体とその電子デバイス応用論文小特集)
専門分野: 
キーワード: 
シリコンカーバイド(110)面(038)面MOSFETMOS
 あらまし | 本文:PDF(358.3KB)

SiCデバイスのオーミックコンタクト形成技術
谷本 智 桐谷 範彦 星 正勝 大串 秀世 荒井 和雄 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2003/04/01
Vol. J86-C  No. 4 ; pp. 359-367
論文種別:  招待論文 (ワイドギャップ半導体とその電子デバイス応用論文小特集)
専門分野: 
キーワード: 
炭化ケイ素SiCコンタクトパワーデバイスMOSFET
 あらまし | 本文:PDF(837KB)

Silicon-on-insulator (SOI) 構造デバイスと今後の課題
大村 泰久 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2003/01/01
Vol. J86-C  No. 1 ; pp. 9-22
論文種別:  解説論文
専門分野: 
キーワード: 
SOIMOSFET高速動作低消費電力耐環境性短チャネル効果基板浮遊効果量子効果フォトニクス
 あらまし | 本文:PDF(721.9KB)

マイクロ波シリコンパワーMOSFET
松本 聡 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2001/07/01
Vol. J84-C  No. 7 ; pp. 552-562
論文種別:  解説論文
専門分野: 
キーワード: 
MOSFETパワーMOSFETRFパワーアンプ
 あらまし | 本文:PDF(1001.7KB)

シリコンカーバイドパワーMOSFETs
マルハン ラジェシュ クマール 原 邦彦 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2000/11/25
Vol. J83-C  No. 11 ; pp. 979-989
論文種別:  招待論文
専門分野: 
キーワード: 
シリコンカーバイドMOSFETJFET効果熱酸化界面準位トラップ
 あらまし | 本文:PDF(1022.2KB)

大振幅RF注入によるMOSFETのDC特性変動の検討
服部 佳晋 只野 博 長瀬 宏 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 B
発行日: 1999/12/25
Vol. J82-B  No. 12 ; pp. 2375-2383
論文種別:  論文
専門分野: 電磁環境
キーワード: 
RF (Radio Frequency)注入大信号MOSFETDC電圧
 あらまし | 本文:PDF(439.2KB)

MOSFETのブレークダウン・スナップバック領域のマクロモデリング
檀 良 渡辺 薫 八木 浩行 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1999/10/25
Vol. J82-C1  No. 10 ; pp. 608-609
論文種別:  レター論文
専門分野: 
キーワード: 
マクロモデリングブレークダウンスナップバックMOSFET
 あらまし | 本文:PDF(162KB)

MOSFETのブレークダウン・スナップバック領域のマクロモデリング
檀 良 渡辺 薫 八木 浩行 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1999/10/25
Vol. J82-C2  No. 10 ; pp. 592-593
論文種別:  レター論文
専門分野: 
キーワード: 
マクロモデリングブレークダウンスナップバックMOSFET
 あらまし | 本文:PDF(162.8KB)

オフセットゲートMOSFETの回路モデル
辻 勝弘 高木 弘明 寺田 和夫 田中 浩治 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1999/09/25
Vol. J82-C2  No. 9 ; pp. 527-530
論文種別:  レター
専門分野: 
キーワード: 
MOSFET回路モデル実効チャネル長
 あらまし | 本文:PDF(244.9KB)

MOSFETの1/f雑音測定とモデリング
嶌末 政憲 青木 均 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1999/07/25
Vol. J82-C2  No. 7 ; pp. 385-391
論文種別:  論文
専門分野: 半導体材料・デバイス
キーワード: 
1/f雑音フリッカ雑音MOSFETBSIM3AFKFEF
 あらまし | 本文:PDF(554.5KB)

SOI CMOSの現状と展望
土屋 敏章 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1999/04/25
Vol. J82-C2  No. 4 ; pp. 155-164
論文種別:  解説論文
専門分野: 
キーワード: 
Silicon on insulatorCMOSMOSFETLSI低消費電力
 あらまし | 本文:PDF(961.7KB)

SOI CMOSの現状と展望
土屋 敏章 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1999/04/25
Vol. J82-C1  No. 4 ; pp. 165-174
論文種別:  解説論文
専門分野: 
キーワード: 
Silicon on insulatorCMOSMOSFETLSI低消費電力
 あらまし | 本文:PDF(961.7KB)

ギガビットULSIに向けた極薄シリコン酸窒化膜
福田 永 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1999/02/25
Vol. J82-C1  No. 2 ; pp. 35-41
論文種別:  解説論文
専門分野: 
キーワード: 
シリコン酸化膜酸窒化N2OMOSFETULSI
 あらまし | 本文:PDF(688.1KB)

ギガビットULSIに向けた極薄シリコン酸窒化膜
福田 永 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1999/02/25
Vol. J82-C2  No. 2 ; pp. 49-55
論文種別:  解説論文
専門分野: 
キーワード: 
シリコン酸化膜酸窒化N2OMOSFETULSI
 あらまし | 本文:PDF(688.2KB)

中間モデルを用いたMOSFETの統計的モデル化手法
近藤 正樹 小野寺 秀俊 田丸 啓吉 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 A
発行日: 1998/11/25
Vol. J81-A  No. 11 ; pp. 1555-1563
論文種別:  論文
専門分野: VLSI設計技術とCAD
キーワード: 
MOSFET統計モデル統計的モデル化ワーストケース中間モデル
 あらまし | 本文:PDF(764.9KB)

熱相互作用を取り入れたシリコンMOSFETのサーマルブレークダウンシミュレーション
川島 博文 壇 良 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1998/09/25
Vol. J81-C2  No. 9 ; pp. 771-776
論文種別:  論文
専門分野: 半導体材料・デバイス
キーワード: 
デバイスシミュレーション非等温場自己発熱MOSFETブレークダウン
 あらまし | 本文:PDF(451.7KB)

SOI MOSFETにおける各端子間容量の特徴の考察
藤並 秀典 北畑 豊 舟本 典彦 大村 泰久 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1998/08/25
Vol. J81-C2  No. 8 ; pp. 741-742
論文種別:  レター
専門分野: 
キーワード: 
SOIMOSFET端子間容量チャージシートモデル
 あらまし | 本文:PDF(107.9KB)

ダイヤモンド表面チャネル型FETその動作機構と応用
津川 和夫 野田 英行 外園 明 北谷 謙一 森田 和敏 川原田 洋 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1998/01/25
Vol. J81-C2  No. 1 ; pp. 172-179
論文種別:  招待論文 (ワイドギャップ半導体とそのデバイス応用論文小特集)
専門分野: ダイヤモンド
キーワード: 
ダイヤモンド水素終端表面p型表面伝導層表面チャネルMESFETMOSFET
 あらまし | 本文:PDF(581.7KB)

ワイドギャップパワー半導体素子の性能と適用インパクトSiCを中心にして
菅原 良孝 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1998/01/25
Vol. J81-C2  No. 1 ; pp. 8-16
論文種別:  招待論文 (ワイドギャップ半導体とそのデバイス応用論文小特集)
専門分野: ワイドギャップ半導体応用システム
キーワード: 
SiCパワー半導体素子ダイオードMOSFETSITサイリスタ素子性能指数電力変換装置
 あらまし | 本文:PDF(605.7KB)

並列接続MOSFETを用いたしきい値電圧標準偏差の測定評価
寺田 和夫 最上 徹 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1996/11/25
Vol. J79-C2  No. 11 ; pp. 691-697
論文種別:  論文
専門分野: 半導体材料・デバイス
キーワード: 
MOSFETしきい値電圧標準偏差ドレーン電流テスト回路並列接続
 あらまし | 本文:PDF(473KB)

SiH4を用いた清浄表面形成法によるSPE技術とSOI層の評価
樹神 雅人 船橋 博文 光嶋 康一 多賀 康訓 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1996/10/25
Vol. J79-C2  No. 10 ; pp. 507-513
論文種別:  論文
専門分野: 半導体材料・デバイス
キーワード: 
SOIMOSFETLPCVDSPE
 あらまし | 本文:PDF(580.6KB)

0.1μm以下MOSFETの高性能化検討
百瀬 寿代 小野 瑞城 吉富 崇 大黒 達也 斎藤 雅伸 中村 新一 岩井 洋 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1996/06/25
Vol. J79-C2  No. 6 ; pp. 218-227
論文種別:  特集論文 (ディープサブミクロンMOSトランジスタ技術小特集)
専門分野: 
キーワード: 
MOSFET微細化高性能化
 あらまし | 本文:PDF(687.3KB)

新形高性能トランジスタ:β-MOSFET
陽 完治 小泉 稜司 橋本 直孝 池田 修二 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1996/06/25
Vol. J79-C2  No. 6 ; pp. 260-265
論文種別:  特集論文 (ディープサブミクロンMOSトランジスタ技術小特集)
専門分野: 
キーワード: 
MOSFETバイポーラ特性トンネルゲート酸化物β-MOSFET
 あらまし | 本文:PDF(404.1KB)

ディープサブミクロンCMOSFET設計における高温RTAのインパクト
清水 昭博 石田 浩 大木 長斗司 山中 俊明 菊島 健一 奥山 幸祐 久保田 勝彦 小池 淳義 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1996/06/25
Vol. J79-C2  No. 6 ; pp. 252-259
論文種別:  特集論文 (ディープサブミクロンMOSトランジスタ技術小特集)
専門分野: 
キーワード: 
MOSFET高温RTA増速拡散逆短チャネル効果
 あらまし | 本文:PDF(589.5KB)

中間モデルを用いたモデル依存性の小さいMOSFETパラメータ抽出手法
近藤 正樹 小野寺 秀俊 田丸 啓吉 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 A
発行日: 1995/09/25
Vol. J78-A  No. 9 ; pp. 1133-1141
論文種別:  論文
専門分野: VLSI設計技術とCAD
キーワード: 
MOSFETパラメータ抽出数値的最適化初期値中間モデル
 あらまし | 本文:PDF(648.4KB)

実効チャネル長抽出における測定誤差
寺田 和夫 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1995/09/25
Vol. J78-C2  No. 9 ; pp. 482-488
論文種別:  論文
専門分野: 集積エレクトロニクス
キーワード: 
MOSFET実効チャネル長測定誤差最小2乗法
 あらまし | 本文:PDF(458.8KB)

金拡散シリコンMOSFET
崔 一 梶 平和 渡辺 一仁 岡田 工 佐藤 洋一 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1994/12/25
Vol. J77-C2  No. 12 ; pp. 598-600
論文種別:  レター
専門分野: 
キーワード: 
金拡散金拡散シリコンMOSFETC-MOSインバータしきい値電圧
 あらまし | 本文:PDF(170.7KB)

2重ゲート構造によるMOSトランジスタの短チャネル化
関川 敏弘 林 豊 石井 賢一 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1992/10/25
Vol. J75-C2  No. 10 ; pp. 546-553
論文種別:  論文
専門分野: 半導体材料・デバイス
キーワード: 
半導体素子MOSFETSOIMOSFET短チャネルMOSFET
 あらまし | 本文:PDF(598.2KB)

MOSFET同期整流器のスイッチング特性解析
坂井 栄治 原田 耕介 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 B
発行日: 1992/02/25
Vol. J75-B1  No. 2 ; pp. 119-124
論文種別:  論文
専門分野: 電子通信用電源
キーワード: 
同期整流器MOSFETスイッチング特性寄生ダイオード
 あらまし | 本文:PDF(326KB)