キーワード : MBE

ハイパワーAlGaN/GaN HFET
吉田　清輝 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2003/04/01
Vol. J86-C  No. 4 ; pp. 412-418
論文種別:  招待論文 (ワイドギャップ半導体とその電子デバイス応用論文小特集)
専門分野: 
キーワード: 
GaN, AlGaN, HFET, MBE, オン抵抗, 
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MBE法による炭酸系化合物(BaxSr1-x)2Cu1+yO2+δ(CO3)1-y薄膜の作製
安達　裕 鶴田　忠正 松井　良夫 坂口　勲 羽田　肇 高橋　紘一郎 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2001/03/01
Vol. J84-C  No. 3 ; pp. 207-212
論文種別:  論文
専門分野: 超伝導エレクトロニクス
キーワード: 
(BaxSr1-x)2Cu1+yO2+δ(CO3)1-y, 炭酸系超伝導体, MBE, 電気抵抗特性, 
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3次元フォトニック結晶へのIII V族化合物半導体活性層の埋込み
花泉　修 桜井　康樹 相澤　芳三 川上　彰二郎 倉持　栄一 奥　哲 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2000/03/25
Vol. J83-C  No. 3 ; pp. 232-233
論文種別:  レター論文
専門分野: 
キーワード: 
フォトニック結晶, 自己クローニング, III V族化合物半導体, MBE, 選択成長, 
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InGaAs/InGaAlAs系MQW面形光増幅器の高利得化の検討
花泉　修 土岐　和啓 川瀬　賢司 桜井　康樹 川上　彰二郎 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2000/03/25
Vol. J83-C  No. 3 ; pp. 246-248
論文種別:  レター
専門分野: 
キーワード: 
面形光増幅器, InGaAs/InGaAlAs系MQW, 光励起, MBE, シングルパス利得, 
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MBE法によりKBr基板上に作製されたバナジルフタロシアニン 単結晶とそのSHGとTHG
前田　昭徳 奥村　典弘 古橋　秀夫 吉川　俊夫 内田　悦行 小嶋　憲三 大橋　朝夫 落合　鎮康 家田　正之 水谷　照吉 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1999/04/25
Vol. J82-C1  No. 4 ; pp. 195-204
論文種別:  論文
専門分野: レーザ・量子エレクトロニクス
キーワード: 
MBE, エピタキシ, VOPc単結晶, 2次非線形光学強度, 3次非線形光学強度, 
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