キーワード : MBE


ハイパワーAlGaN/GaN HFET
吉田 清輝 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2003/04/01
Vol. J86-C  No. 4 ; pp. 412-418
論文種別:  招待論文 (ワイドギャップ半導体とその電子デバイス応用論文小特集)
専門分野: 
キーワード: 
GaNAlGaNHFETMBEオン抵抗
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MBE法による炭酸系化合物(BaxSr1-x)2Cu1+yO2+δ(CO3)1-y薄膜の作製
安達 裕 鶴田 忠正 松井 良夫 坂口 勲 羽田 肇 高橋 紘一郎 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2001/03/01
Vol. J84-C  No. 3 ; pp. 207-212
論文種別:  論文
専門分野: 超伝導エレクトロニクス
キーワード: 
(BaxSr1-x)2Cu1+yO2+δ(CO3)1-y炭酸系超伝導体MBE電気抵抗特性
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3次元フォトニック結晶へのIII V族化合物半導体活性層の埋込み
花泉 修 桜井 康樹 相澤 芳三 川上 彰二郎 倉持 栄一 奥 哲 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2000/03/25
Vol. J83-C  No. 3 ; pp. 232-233
論文種別:  レター論文
専門分野: 
キーワード: 
フォトニック結晶自己クローニングIII V族化合物半導体MBE選択成長
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InGaAs/InGaAlAs系MQW面形光増幅器の高利得化の検討
花泉 修 土岐 和啓 川瀬 賢司 桜井 康樹 川上 彰二郎 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2000/03/25
Vol. J83-C  No. 3 ; pp. 246-248
論文種別:  レター
専門分野: 
キーワード: 
面形光増幅器InGaAs/InGaAlAs系MQW光励起MBEシングルパス利得
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MBE法によりKBr基板上に作製されたバナジルフタロシアニン 単結晶とそのSHGとTHG
前田 昭徳 奥村 典弘 古橋 秀夫 吉川 俊夫 内田 悦行 小嶋 憲三 大橋 朝夫 落合 鎮康 家田 正之 水谷 照吉 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1999/04/25
Vol. J82-C1  No. 4 ; pp. 195-204
論文種別:  論文
専門分野: レーザ・量子エレクトロニクス
キーワード: 
MBEエピタキシVOPc単結晶2次非線形光学強度3次非線形光学強度
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