キーワード : LPCVD


塩素ガスエッチングを用いた微細MOS Elevated Source/Drainプロセス―高選択,ダメージフリーのバッチ処理Siエッチング―
杉野 林志 Unsoon Kim Kyunghoon Min Ning Cheng Huaqiang Wu Chungho Lee Fred Cheung Hiroyuki Kinoshita 上西 雅彦 加藤 寿 多田 新吾 伊藤 隆司 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2008/07/01
Vol. J91-C  No. 7 ; pp. 363-369
論文種別:  論文
専門分野: 半導体材料・デバイス
キーワード: 
Elevated Source/Drainポリシリコンダメージフリーエッチング塩素ガスLPCVD
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SPE法によるSOI層の熱酸化膜の評価
樹神 雅人 船橋 博文 光嶋 康一 多賀 康訓 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1997/05/25
Vol. J80-C2  No. 5 ; pp. 151-156
論文種別:  論文
専門分野: 半導体材料・デバイス
キーワード: 
SOISPELPCVDOXIDE
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埋込みゲートを有する縦型MOS FET
樹神 雅人 上杉 勉 光嶋 康一 多賀 康訓 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1997/05/25
Vol. J80-C2  No. 5 ; pp. 157-163
論文種別:  論文
専門分野: 半導体材料・デバイス
キーワード: 
SOISPELPCVD縦型MOSPower MOS埋込みゲートLateral SOI MOS
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SPE法によるSOI層中の不純物拡散
樹神 雅人 上杉 勉 船橋 博文 光嶋 康一 多賀 康訓 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1997/05/25
Vol. J80-C2  No. 5 ; pp. 181-183
論文種別:  レター
専門分野: 
キーワード: 
SOISPELPCVD拡散
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SiH4を用いた清浄表面形成法によるSPE技術とSOI層の評価
樹神 雅人 船橋 博文 光嶋 康一 多賀 康訓 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1996/10/25
Vol. J79-C2  No. 10 ; pp. 507-513
論文種別:  論文
専門分野: 半導体材料・デバイス
キーワード: 
SOIMOSFETLPCVDSPE
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高速走査Arレーザアニールによる低温プロセスpoly-S TFT
増茂 邦雄 結城 正記 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1993/05/25
Vol. J76-C2  No. 5 ; pp. 256-259
論文種別:  特集論文 (ジャイアントマイクロエレクトロニクスとその応用論文特集)
専門分野: 
キーワード: 
poly-Si TFTレーザアニールスピン密度LPCVD
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