キーワード : GaN


GaNソフトスイッチング電源変調器を用いた3.6-4.0 GHz帯高効率エンベロープトラッキング増幅器
小松崎 優治 サンドロ ランフランコ タピオ コルモネン オリ ピイライネン ジャルノ タンスカネン 坂田 修一 馬 瑞 新庄 真太郎 山中 宏治 ピーター アズベック 
誌名:   
発行日: 2020/02/01
Vol. J103-C  No. 2 ; pp. 86-94
論文種別:  招待論文
専門分野: 
キーワード: 
マイクロ波GaN増幅器エンベロープトラッキングソフトスイッチング
 あらまし | 本文:PDF(1.5MB)

高効率GaN面発光レーザの現状と展望
竹内 哲也 上山 智 岩谷 素顕 赤﨑 勇 
誌名:   
発行日: 2018/08/01
Vol. J101-C  No. 8 ; pp. 312-318
論文種別:  招待論文
専門分野: レーザ・量子エレクトロニクス
キーワード: 
GaN面発光レーザAlInN多層膜反射鏡
 あらまし | 本文:PDF(947.1KB)

Ku帯衛星通信用80W内部整合型GaN HEMT電力増幅器
今井 翔平 前原 宏昭 加茂 宣卓 片山 秀昭 太田 彰 井上 晃 山中 宏治 中山 正敏 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2016/04/01
Vol. J99-C  No. 4 ; pp. 122-132
論文種別:  論文
専門分野: マイクロ波,ミリ波
キーワード: 
マイクロ波内部整合型FET増幅器不平衡動作GaN
 あらまし | 本文:PDF(2MB)

ZrO2/Al2O3積層膜をゲート絶縁膜に用いたn-GaN MISダイオードの比誘電率と界面特性
樹神 真太郎 徳田 博邦 原 正明 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2015/02/01
Vol. J98-C  No. 2 ; pp. 27-33
論文種別:  論文
専門分野: 半導体材料・デバイス
キーワード: 
GaNAl2O3ZrO2界面準位密度比誘電率
 あらまし | 本文:PDF(1.2MB)

GaN系ショットキー接合のリーク電流
橋詰 保 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2005/08/01
Vol. J88-C  No. 8 ; pp. 621-629
論文種別:  解説論文
専門分野: 
キーワード: 
GaNショットキー接合リーク電流トンネル電流表面欠陥
 あらまし | 本文:PDF(428.7KB)

ハイパワーAlGaN/GaN HFET
吉田 清輝 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2003/04/01
Vol. J86-C  No. 4 ; pp. 412-418
論文種別:  招待論文 (ワイドギャップ半導体とその電子デバイス応用論文小特集)
専門分野: 
キーワード: 
GaNAlGaNHFETMBEオン抵抗
 あらまし | 本文:PDF(301.4KB)

InGaN/GaN 結晶のホモエピタキシャル成長及びヘテロエピタキシャル 成長の研究
酒井 士郎 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1999/04/25
Vol. J82-C2  No. 4 ; pp. 137-145
論文種別:  招待論文
専門分野: 
キーワード: 
GaNInGaNMOCVDバルクGaNホモエピタキシー
 あらまし | 本文:PDF(313.9KB)

InGaN/GaN 結晶のホモエピタキシャル成長及びヘテロエピタキシャル 成長の研究
酒井 士郎 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1999/04/25
Vol. J82-C1  No. 4 ; pp. 147-155
論文種別:  招待論文
専門分野: 
キーワード: 
GaNInGaNMOCVDバルクGaNホモエピタキシー
 あらまし | 本文:PDF(313.9KB)

ハイドライドVPEによる厚膜GaN結晶の成長
碓井 彰 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1998/01/25
Vol. J81-C2  No. 1 ; pp. 58-64
論文種別:  招待論文 (ワイドギャップ半導体とそのデバイス応用論文小特集)
専門分野: 族窒化物半導体
キーワード: 
GaNハイドライドVPE選択成長転位青色半導体レーザ
 あらまし | 本文:PDF(660.5KB)

GaN系面発光レーザの設計と製作技術に関する基礎検討
本田 徹 白澤 智恵 持田 宣晃 井上 彰 松谷 晃宏 坂口 孝浩 小山 二三夫 川西 英雄 伊賀 健一 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1998/01/25
Vol. J81-C2  No. 1 ; pp. 97-104
論文種別:  特集論文 (ワイドギャップ半導体とそのデバイス応用論文小特集)
専門分野: 族窒化物半導体
キーワード: 
GaN面発光レーザ高反射率反射鏡RIBE電流狭窄BAlGaN有機金属気相成長
 あらまし | 本文:PDF(544.6KB)

窒化物系青,緑色LEDと青紫色半導体レーザの進展
中村 修二 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1998/01/25
Vol. J81-C2  No. 1 ; pp. 89-96
論文種別:  招待論文 (ワイドギャップ半導体とそのデバイス応用論文小特集)
専門分野: 族窒化物半導体
キーワード: 
青色LEDInGaNGaNレーザダイオード
 あらまし | 本文:PDF(637.2KB)