キーワード : GaAs


表面に周期構造が形成されたGaAs基板における太陽光の電力透過係数の解析
冨田 正治 奥野 洋一 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2014/05/01
Vol. J97-C  No. 5 ; pp. 239-242
論文種別:  ショートノート
専門分野: 
キーワード: 
太陽電池素子GaAs電力透過係数周期構造最小2乗法的モード整合法
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フッ素系プラズマ処理によるP-HEMT特性劣化機構
内山 博幸 谷口 隆文 紀川 健 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2006/09/01
Vol. J89-C  No. 9 ; pp. 576-582
論文種別:  特集論文 (化合物半導体デバイスの高信頼化技術論文特集)
専門分野: 
キーワード: 
フッ素HEMTGaAsXPSRIE
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GaAs酸窒化膜をゲート絶縁膜とするnチャネル pチャネルエンハンスメント/反転型GaAs-MISFETの試作
為頭 美斗子 武部 正英 ナラヤン チャンドラ ポール 飯山 宏一 高宮 三郎 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2005/07/01
Vol. J88-C  No. 7 ; pp. 551-559
論文種別:  論文
専門分野: 半導体材料・デバイス
キーワード: 
GaAs酸化窒化MISMOS
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高真空中接触角測定法によるGaAs表面状態の「その場」観察
松下 浩一 門原 拓也 中山 健 長沼 博 奥山 澄雄 奥山 克郎 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2001/02/01
Vol. J84-C  No. 2 ; pp. 136-143
論文種別:  論文
専門分野: 半導体材料・デバイス
キーワード: 
GaAsGa液滴接触角ぬれ表面状態
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円偏光励起GaAsマイクロ探針のスピン偏極トンネル電子源への応用
篠原 亮一 山口 浩一 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2000/09/25
Vol. J83-C  No. 9 ; pp. 835-841
論文種別:  論文
専門分野: 電子材料
キーワード: 
スピン偏極走査型トンネル顕微鏡スピン偏極電子源表面準位GaAsNi
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高次相互変調ひずみのゲート接続インピーダンス依存性の解析とパワーアンプのディジタル変調ひずみの改善
楠 繁雄 古田 武司 村上 義和 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2000/06/25
Vol. J83-C  No. 6 ; pp. 542-552
論文種別:  論文
専門分野: マイクロ波,ミリ波
キーワード: 
GaAsJFETパワーアンプボルテラ級数IMD
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基板表面処理のGaAs界面特性への影響
間田 洋一 和田 嘉記 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1999/11/25
Vol. J82-C2  No. 11 ; pp. 625-630
論文種別:  論文
専門分野: 半導体材料・デバイス
キーワード: 
GaAsMOCVD法界面不純物ショットキー素子
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ショットキー障壁形成機構と制御可能性について
廣瀬 和之 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1999/01/25
Vol. J82-C1  No. 1 ; pp. 1-6
論文種別:  解説論文
専門分野: 
キーワード: 
金属/半導体界面ショットキー障壁制御GaAsSi
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ショットキー障壁形成機構と制御可能性について
廣瀬 和之 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1999/01/25
Vol. J82-C2  No. 1 ; pp. 1-6
論文種別:  解説論文
専門分野: 
キーワード: 
金属/半導体界面ショットキー障壁制御GaAsSi
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リン化処理を施した化合物半導体へのショットキー接合
杉野 隆 白藤 純嗣 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1998/09/25
Vol. J81-C2  No. 9 ; pp. 765-770
論文種別:  論文
専門分野: 半導体材料・デバイス
キーワード: 
リン化処理InPGaAsフォスフィンプラズマ光分解ショットキー接合
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光陽極エッチング・めっき連続プロセスによる理想GaAsショットキー接触の形成
奥村 次徳 兼城 千波 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1998/08/25
Vol. J81-C2  No. 8 ; pp. 690-697
論文種別:  論文
専門分野: 半導体材料・デバイス
キーワード: 
GaAsショットキー接触めっき光陽極エッチング電気化学プロセス
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ワイドギャップ半導体の高周波パワー応用
太田 順道 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1998/01/25
Vol. J81-C2  No. 1 ; pp. 17-23
論文種別:  招待論文 (ワイドギャップ半導体とそのデバイス応用論文小特集)
専門分野: ワイドギャップ半導体応用システム
キーワード: 
高周波移動体通信パワートランジスタGaAsSiC
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鉄拡散を用いたGaAs pnp構造の電荷蓄積特性
大澤 潤 根角 昌伸 片山 典浩 齋藤 康博 右高 正俊 土田 縫夫 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1997/10/25
Vol. J80-C2  No. 10 ; pp. 330-334
論文種別:  論文
専門分野: 半導体材料・デバイス
キーワード: 
メモリ漏れ電流GaAspn接合深い準位
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大振幅動作におけるGaAsFETの周波数分散と変調波ひずみ特性
宮辻 和郎 古川 秀利 上田 大助 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1994/07/25
Vol. J77-C2  No. 7 ; pp. 279-284
論文種別:  論文
専門分野: 半導体材料・デバイス
キーワード: 
GaAsMESFET表面準位周波数分散
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