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キーワード : CVD

高誘電率酸化タンタル膜の低消費電力高集積DRAMへの適用神力　博
誌名: 発行日: 2017/10/01 Vol. J100-C No. 10 ; pp. 448-456 論文種別: 招待論文 (学会創立100周年記念論文特集) 専門分野: キーワード: 半導体, 誘電体, DRAM, 酸化タンタル, CVD,
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CVD 法による銅薄膜の成膜とガスの流れの関係小林　明子関口　敦池田　圭岡田　修小出　知昭
誌名: 電子情報通信学会論文誌 C 発行日: 1999/08/25 Vol. J82-C2 No. 8 ; pp. 439-445 論文種別: 論文専門分野: 半導体材料・デバイスキーワード: 銅配線, CVD, 律速過程, ガスの流れ, 成膜速度, 埋込み特性,
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高誘電率材料（Ba，Sr）TiO₃を用いた1G DRAM対応キャパシタ技術堀川　剛結城　昭正芝野　照夫川原　孝昭蒔田　哲郎黒岩　丈晴山向　幹雄大森　達夫三上　登斧　高一
誌名: 電子情報通信学会論文誌 C 発行日: 1996/09/25 Vol. J79-C1 No. 9 ; pp. 347-354 論文種別: 招待論文専門分野: キーワード: （Ba,Sr）TiO₃, CVD, Ru, スタックトキャパシタ, メモリセル, DRAM,
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高誘電率材料（Ba，Sr）TiO₃を用いた1G DRAM対応キャパシタ技術堀川　剛結城　昭正芝野　照夫川原　孝昭蒔田　哲郎黒岩　丈晴山向　幹雄大森　達夫三上　登斧　高一
誌名: 電子情報通信学会論文誌 C 発行日: 1996/09/25 Vol. J79-C2 No. 9 ; pp. 455-462 論文種別: 招待論文専門分野: キーワード: （Ba,Sr）TiO₃, CVD, Ru, スタックトキャパシタ, メモリセル, DRAM,
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WF₆/Si₂H₆によるWSi_xブランケットCVDのモデリングとシミュレーション江頭　靖幸会田　弘文齊藤　丈靖霜垣　幸浩小宮山　宏菅原　活郎
誌名: 電子情報通信学会論文誌 C 発行日: 1995/05/25 Vol. J78-C2 No. 5 ; pp. 213-220 論文種別: 特集論文 (集積化配線技術論文特集) 専門分野: 層間絶縁膜キーワード: CVD, タングステンシリサイド, Si₂H₆, WF₆, 反応機構, シミュレーション,
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CVD-SiO₂/PECVD-SiNx積層構造ゲート絶縁膜を用いたa-Si・TFT 福田　加一茨木　伸樹
誌名: 電子情報通信学会論文誌 C 発行日: 1993/05/25 Vol. J76-C2 No. 5 ; pp. 184-191 論文種別: 特集論文 (ジャイアントマイクロエレクトロニクスとその応用論文特集) 専門分野: キーワード: CVD, SiO₂, TFT, a-Si, ゲート絶縁膜,
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