キーワード : CVD


高誘電率酸化タンタル膜の低消費電力高集積DRAMへの適用
神力 博 
誌名:   
発行日: 2017/10/01
Vol. J100-C  No. 10 ; pp. 448-456
論文種別:  招待論文 (学会創立100周年記念論文特集)
専門分野: 
キーワード: 
半導体誘電体DRAM酸化タンタルCVD
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CVD 法による銅薄膜の成膜とガスの流れの関係
小林 明子 関口 敦 池田 圭 岡田 修 小出 知昭 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1999/08/25
Vol. J82-C2  No. 8 ; pp. 439-445
論文種別:  論文
専門分野: 半導体材料・デバイス
キーワード: 
銅配線CVD律速過程ガスの流れ成膜速度埋込み特性
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高誘電率材料(Ba,Sr)TiO3を用いた1G DRAM対応キャパシタ技術
堀川 剛 結城 昭正 芝野 照夫 川原 孝昭 蒔田 哲郎 黒岩 丈晴 山向 幹雄 大森 達夫 三上 登 斧 高一 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1996/09/25
Vol. J79-C1  No. 9 ; pp. 347-354
論文種別:  招待論文
専門分野: 
キーワード: 
(Ba,Sr)TiO3CVDRuスタックトキャパシタメモリセルDRAM
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高誘電率材料(Ba,Sr)TiO3を用いた1G DRAM対応キャパシタ技術
堀川 剛 結城 昭正 芝野 照夫 川原 孝昭 蒔田 哲郎 黒岩 丈晴 山向 幹雄 大森 達夫 三上 登 斧 高一 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1996/09/25
Vol. J79-C2  No. 9 ; pp. 455-462
論文種別:  招待論文
専門分野: 
キーワード: 
(Ba,Sr)TiO3CVDRuスタックトキャパシタメモリセルDRAM
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WF6/Si2H6によるWSixブランケットCVDのモデリングとシミュレーション
江頭 靖幸 会田 弘文 齊藤 丈靖 霜垣 幸浩 小宮山 宏 菅原 活郎 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1995/05/25
Vol. J78-C2  No. 5 ; pp. 213-220
論文種別:  特集論文 (集積化配線技術論文特集)
専門分野: 層間絶縁膜
キーワード: 
CVDタングステンシリサイドSi2H6WF6反応機構シミュレーション
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CVD-SiO2/PECVD-SiNx積層構造ゲート絶縁膜を用いたa-Si・TFT
福田 加一 茨木 伸樹 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1993/05/25
Vol. J76-C2  No. 5 ; pp. 184-191
論文種別:  特集論文 (ジャイアントマイクロエレクトロニクスとその応用論文特集)
専門分野: 
キーワード: 
CVDSiO2TFTa-Siゲート絶縁膜
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