キーワード : 高速デバイス


化合物半導体電子デバイス及び関連材料研究の歴史的発展と将来展望
長谷川 英機 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2009/08/01
Vol. J92-C  No. 8 ; pp. 454-466
論文種別:  招待論文 (エレクトロニクスソサイエティ和文論文誌500号記念論文特集)
専門分野: 電子デバイス
キーワード: 
化合物半導体電子デバイス高速デバイス半導体材料集積回路
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InP系高速デバイス用多層エピタキシャル構造のSi超薄膜による表面不活性化
謝 永桂 高橋 賢 高橋 浩 江 潮 葛西 誠也 長谷川 英機 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2001/09/01
Vol. J84-C  No. 9 ; pp. 872-882
論文種別:  論文
専門分野: 半導体材料・デバイス
キーワード: 
表面不活性化シリコン界面制御層インジウムリン系材料高速デバイスC-V特性
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