キーワード : 選択成長


3次元フォトニック結晶へのIII V族化合物半導体活性層の埋込み
花泉 修 桜井 康樹 相澤 芳三 川上 彰二郎 倉持 栄一 奥 哲 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2000/03/25
Vol. J83-C  No. 3 ; pp. 232-233
論文種別:  レター論文
専門分野: 
キーワード: 
フォトニック結晶自己クローニングIII V族化合物半導体MBE選択成長
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ECRプラズマCVDによるSi薄膜の選択エピタキシャル成長
高田 俊明 佐々木 公洋 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1999/04/25
Vol. J82-C2  No. 4 ; pp. 197-202
論文種別:  論文
専門分野: 半導体材料・デバイス
キーワード: 
選択成長低温エピタキシャル成長エッチングECRプラズマCVDSi
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ハイドライドVPEによる厚膜GaN結晶の成長
碓井 彰 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1998/01/25
Vol. J81-C2  No. 1 ; pp. 58-64
論文種別:  招待論文 (ワイドギャップ半導体とそのデバイス応用論文小特集)
専門分野: 族窒化物半導体
キーワード: 
GaNハイドライドVPE選択成長転位青色半導体レーザ
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MOVPE選択成長と半導体光集積回路への応用
佐々木 達也 山口 昌幸 加藤 友章 阪田 康隆 浅野 英樹 北村 光弘 水戸 郁夫 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1992/05/25
Vol. J75-C1  No. 5 ; pp. 387-395
論文種別:  特集論文 (多次元光回路技術の発展論文特集)
専門分野: 
キーワード: 
光集積回路半導体レーザ光変調器波長多重選択成長
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