キーワード : 選択成長

3次元フォトニック結晶へのIII V族化合物半導体活性層の埋込み
花泉　修 桜井　康樹 相澤　芳三 川上　彰二郎 倉持　栄一 奥　哲 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2000/03/25
Vol. J83-C  No. 3 ; pp. 232-233
論文種別:  レター論文
専門分野: 
キーワード: 
フォトニック結晶, 自己クローニング, III V族化合物半導体, MBE, 選択成長, 
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ECRプラズマCVDによるSi薄膜の選択エピタキシャル成長
高田　俊明 佐々木　公洋 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1999/04/25
Vol. J82-C2  No. 4 ; pp. 197-202
論文種別:  論文
専門分野: 半導体材料・デバイス
キーワード: 
選択成長, 低温エピタキシャル成長, エッチング, ECRプラズマCVD, Si, 
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ハイドライドVPEによる厚膜GaN結晶の成長
碓井　彰 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1998/01/25
Vol. J81-C2  No. 1 ; pp. 58-64
論文種別:  招待論文 (ワイドギャップ半導体とそのデバイス応用論文小特集)
専門分野: －族窒化物半導体
キーワード: 
GaN, ハイドライドVPE, 選択成長, 転位, 青色半導体レーザ, 
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MOVPE選択成長と半導体光集積回路への応用
佐々木　達也 山口　昌幸 加藤　友章 阪田　康隆 浅野　英樹 北村　光弘 水戸　郁夫 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1992/05/25
Vol. J75-C1  No. 5 ; pp. 387-395
論文種別:  特集論文 (多次元光回路技術の発展論文特集)
専門分野: 
キーワード: 
光集積回路, 半導体レーザ, 光変調器, 波長多重, 選択成長, 
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