キーワード : 薄膜トランジスタ


レアメタルフリーGa-Sn-O材料の薄膜トランジスタへの応用
松田 時宜 梅田 鉄馬 加藤 雄太 西本 大貴 杉崎 澄生 古田 守 木村 睦 
誌名:   
発行日: 2019/11/01
Vol. J102-C  No. 11 ; pp. 305-311
論文種別:  招待論文
専門分野: 半導体材料・デバイス
キーワード: 
酸化物半導体薄膜トランジスタRFマグネトロンスパッタリングNBIS
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大粒径低温多結晶シリコン薄膜トランジスタにおけるチャージポンピング特性とMOS界面に関する考察
嘉藤 俊宏 河内 玄士朗 土屋 敏章 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2011/08/01
Vol. J94-C  No. 8 ; pp. 205-209
論文種別:  論文
専門分野: 半導体材料・デバイス
キーワード: 
薄膜トランジスタチャージポンピング特性粒界大粒径低温多結晶シリコン界面トラップ
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触媒金属を用いた非晶質SiGe薄膜/ガラスの低温固相成長
菅野 裕士 権丈 淳 佐道 泰造 宮尾 正信 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2007/03/01
Vol. J90-C  No. 3 ; pp. 274-280
論文種別:  論文
専門分野: 半導体材料・デバイス
キーワード: 
金属誘起固相成長シリコンゲルマニウム(SiGe)薄膜トランジスタ低温結晶化電界誘起成長
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多結晶シリコン薄膜トランジスタの電気特性解析とデバイスシミュレーションによる表裏絶縁膜界面と結晶粒界のトラップ準位の評価
木村 睦 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2004/08/01
Vol. J87-C  No. 8 ; pp. 632-640
論文種別:  論文
専門分野: 半導体材料・デバイス
キーワード: 
多結晶シリコン薄膜トランジスタpoly-Si TFT電気特性解析デバイスシミュレーション
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多結晶シリコン薄膜トランジスタの絶縁膜-シリコン界面と結晶粒界のトラップ準位の抽出
木村 睦 野澤 陵一 井上 聡 下田 達也 Basil On-Kit Lui Simon Wing-Bun Tam Piero Migliorato 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2002/08/01
Vol. J85-C  No. 8 ; pp. 673-683
論文種別:  特集論文 (低温または高温多結晶Siとアクティブマトリックス型ディスプレイ用薄膜トランジスタ論文特集)
専門分野: 
キーワード: 
トラップ準位絶縁膜-シリコン界面結晶粒界多結晶シリコン薄膜トランジスタ
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シリコン薄膜の振幅・位相制御エキシマレーザ溶融再結晶化法―新しい2-D位置制御大結晶粒形成法―
井上 弘毅 中田 充 松村 正清 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2002/08/01
Vol. J85-C  No. 8 ; pp. 624-629
論文種別:  特集論文 (低温または高温多結晶Siとアクティブマトリックス型ディスプレイ用薄膜トランジスタ論文特集)
専門分野: 
キーワード: 
エキシマレーザアニール溶融再結晶化薄膜トランジスタ結晶粒径振幅・位相制御法
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光酸化膜とSiH4とN2OガスからのPECVD膜を積層した低温多結晶Si薄膜トランジスタ用ゲート絶縁膜
中田 行彦 岡本 哲也 糸賀 隆志 浜田 敏正 石井 裕 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2002/08/01
Vol. J85-C  No. 8 ; pp. 666-672
論文種別:  特集論文 (低温または高温多結晶Siとアクティブマトリックス型ディスプレイ用薄膜トランジスタ論文特集)
専門分野: 
キーワード: 
多結晶Si薄膜トランジスタゲート絶縁膜光酸化酸化
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a-Si TFTの容量特性評価
大内田 裕史 御福 英史 後藤 令幸 中川 直紀 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1996/02/25
Vol. J79-C2  No. 2 ; pp. 87-92
論文種別:  論文
専門分野: 電子ディスプレイ
キーワード: 
アモルファス半導体薄膜トランジスタTFT容量の評価
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TFT-LCDの高精度シミュレーション技術
太田 益幸 津村 誠 大和田 淳一 大井田 淳 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1994/07/25
Vol. J77-C2  No. 7 ; pp. 293-300
論文種別:  論文
専門分野: 電子ディスプレイ
キーワード: 
薄膜トランジスタ液晶ディスプレイシミュレーションフィードスルー電圧真性容量TFTLCD
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アモルファスシリコン薄膜トランジスタへのポスト水素化の効果
Byung-chul AHN 宇佐美 浩一 加納 博司 杉浦 修 松村 正清 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1993/05/25
Vol. J76-C2  No. 5 ; pp. 192-198
論文種別:  特集論文 (ジャイアントマイクロエレクトロニクスとその応用論文特集)
専門分野: 
キーワード: 
アモルファスシリコンポスト水素化薄膜トランジスタ移動度しきい電圧
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エキシマレーザ照射で形成した逆スタガ構造多結晶シリコン薄膜トランジスタ
小野 記久雄 小川 和宏 作田 弘樹 小西 信武 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1993/05/25
Vol. J76-C2  No. 5 ; pp. 249-255
論文種別:  特集論文 (ジャイアントマイクロエレクトロニクスとその応用論文特集)
専門分野: 
キーワード: 
薄膜トランジスタ液晶ディスプレイ多結晶シリコンエキシマレーザTFTLCD
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ジャイアントマイクロエレクトロニクスの歴史と動向
両角 伸治 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1993/05/25
Vol. J76-C2  No. 5 ; pp. 167-176
論文種別:  特集論文 (ジャイアントマイクロエレクトロニクスとその応用論文特集)
専門分野: 
キーワード: 
ジャイアントマイクロエレクトロニクス薄膜トランジスタ薄膜ダイオード液晶ディスプレイアクティブマトリクス
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新しい移動度モデルに基づく多結晶シリコンTFTの2次元解析
山田 想 加藤 典司 小柳 光正 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1993/05/25
Vol. J76-C2  No. 5 ; pp. 291-298
論文種別:  特集論文 (ジャイアントマイクロエレクトロニクスとその応用論文特集)
専門分野: 
キーワード: 
薄膜トランジスタポリシリコンデバイスシミュレーション短チャネル効果移動度モデル
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結晶粒界位置制御による高性能多結晶シリコン薄膜トランジスタ
篠原 俊朗 垂井 康夫 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1993/05/25
Vol. J76-C2  No. 5 ; pp. 268-275
論文種別:  特集論文 (ジャイアントマイクロエレクトロニクスとその応用論文特集)
専門分野: 
キーワード: 
多結晶シリコン薄膜トランジスタ自己整合形結晶粒界位置制御
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多結晶シリコン薄膜トランジスタの特性分布シミュレーション
篠原 俊朗 垂井 康夫 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1992/10/25
Vol. J75-C2  No. 10 ; pp. 538-545
論文種別:  論文
専門分野: 半導体材料・デバイス
キーワード: 
多結晶シリコン薄膜トランジスタシミュレーション特性ばらつき粒径分布
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