キーワード : 素子性能指数


ワイドギャップパワー半導体素子の性能と適用インパクトSiCを中心にして
菅原 良孝 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1998/01/25
Vol. J81-C2  No. 1 ; pp. 8-16
論文種別:  招待論文 (ワイドギャップ半導体とそのデバイス応用論文小特集)
専門分野: ワイドギャップ半導体応用システム
キーワード: 
SiCパワー半導体素子ダイオードMOSFETSITサイリスタ素子性能指数電力変換装置
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