キーワード : 窒化物半導体


窒化物半導体トランジスタへの期待と将来展望
葛原 正明 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2007/12/01
Vol. J90-C  No. 12 ; pp. 960-966
論文種別:  解説論文
専門分野: 半導体材料・デバイス
キーワード: 
窒化物半導体ヘテロ接合電界効果トランジスタ耐圧電流コラプス
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ナイトライド系結晶成長技術とヘテロ接合バイポーラトランジスタへの応用
牧本 俊樹 熊倉 一英 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2005/07/01
Vol. J88-C  No. 7 ; pp. 467-473
論文種別:  招待論文
専門分野: 
キーワード: 
窒化物半導体ヘテロ接合バイポーラトランジスタ外部ベース再成長パワーエレクトロニクスp型InGaN
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GaN上へのInGaN量子ドットの自然形成
橘 浩一 染谷 隆夫 荒川 泰彦 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1998/08/25
Vol. J81-C1  No. 8 ; pp. 474-475
論文種別:  レター論文
専門分野: 
キーワード: 
窒化物半導体量子ドット自然形成有機金属気相成長法
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GaN上へのInGaN量子ドットの自然形成
橘 浩一 染谷 隆夫 荒川 泰彦 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1998/08/25
Vol. J81-C2  No. 8 ; pp. 736-737
論文種別:  レター論文
専門分野: 
キーワード: 
窒化物半導体量子ドット自然形成有機金属気相成長法
 あらまし | 本文:PDF(114.4KB)