キーワード : 窒化ガリウム


GaNオンSi基板の電極パッドインピーダンスの等価回路モデル
柴田 随道 
誌名:   
発行日: 2017/05/01
Vol. J100-C  No. 5 ; pp. 192-199
論文種別:  特集論文 (エレクトロニクス分野におけるシミュレーション技術の進展論文特集)
専門分野: 
キーワード: 
窒化ガリウムマイクロ波電力増幅回路配線電極パッドシリコン基板解析モデル
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高出力AlGaN/GaNヘテロ接合FETの現状と展望
葛原 正明 安藤 裕二 井上 隆 岡本 康宏 笠原 健資 中山 達峰 宮本 広信 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2003/04/01
Vol. J86-C  No. 4 ; pp. 396-403
論文種別:  招待論文 (ワイドギャップ半導体とその電子デバイス応用論文小特集)
専門分野: 
キーワード: 
窒化ガリウムワイドバンドギャップ電界効果トランジスタ耐圧パワーアンプ
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リセスゲートAlGaN/GaN-HEMTの高周波特性
佐野 芳明 海部 勝晶 見田 充郎 山田 朋幸 田 毅彦 鷺森 友彦 大来 英之 石川 博康 江川 孝志 神保 孝志 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2003/04/01
Vol. J86-C  No. 4 ; pp. 404-411
論文種別:  招待論文 (ワイドギャップ半導体とその電子デバイス応用論文小特集)
専門分野: 
キーワード: 
窒化ガリウムHEMTリセスゲートサファイア基板高周波高耐圧
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