キーワード : 移動度


シリコンバンプ上に積層した薄化チップの曲げ応力とデバイス特性評価
木野 久志 マリアッパン ムルゲサン 小島 俊哉 福島 誉史 田中 徹 小柳 光正 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2011/11/01
Vol. J94-C  No. 11 ; pp. 411-418
論文種別:  特集論文 (電子デバイスの高速・高密度実装とインテグレーション技術論文特集)
専門分野: 
キーワード: 
三次元積層金属マイクロバンプ曲げ応力移動度
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チップスタック型マルチチップ実装におけるMOSFETの移動度の変動について
池田 晃裕 浜口 淳 小木 博志 岩崎 一也 服部 励治 黒木 幸令 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2005/11/01
Vol. J88-C  No. 11 ; pp. 866-873
論文種別:  特集論文 (先端電子デバイス実装技術と解析・評価技術の最新動向論文特集)
専門分野: SiP応力解析技術
キーワード: 
三次元実装応力塑性変形MOSFET移動度
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強反転領域におけるSGTの移動度増加
坂本 渉 羽田 秀生 桜庭 弘 中村 広記 舛岡 富士雄 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2005/05/01
Vol. J88-C  No. 5 ; pp. 338-339
論文種別:  レター
専門分野: 
キーワード: 
SGT移動度実効垂直電界三次元トランジスタ
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CWラテラル結晶化(CLC)技術による移動度500 cm2/Vsを超える新低温ポリSi TFT技術
佐々木 伸夫 原 明人 竹内 文代 菅 勝行 竹井 美智子 吉野 健一 千田 満 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2002/08/01
Vol. J85-C  No. 8 ; pp. 601-608
論文種別:  招待論文 (低温または高温多結晶Siとアクティブマトリックス型ディスプレイ用薄膜トランジスタ論文特集)
専門分野: 
キーワード: 
低温ポリシリコンCWラテラル結晶化CLC移動度TFT
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導電性高分子のキャリヤ移動度
金藤 敬一 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2001/11/01
Vol. J84-C  No. 11 ; pp. 1050-1060
論文種別:  解説論文
専門分野: 
キーワード: 
移動度有機材料導電性高分子ポリアルキルチオフェンタイムオブフライト法
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サブ0.1μmMOS構造素子における問題点と素子設計キャリヤ速度オーバシュートと特性揺らぎをもとに
水野 智久 大場 竜二 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1998/03/25
Vol. J81-C2  No. 3 ; pp. 320-325
論文種別:  特集論文 (サブ0.1μmMOSデバイスの実現に向けたプロセス・デバイス技術論文小特集)
専門分野: 
キーワード: 
速度オーバシュート移動度キャリヤ密度不純物濃度特性揺らぎ
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アモルファスシリコン薄膜トランジスタへのポスト水素化の効果
Byung-chul AHN 宇佐美 浩一 加納 博司 杉浦 修 松村 正清 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1993/05/25
Vol. J76-C2  No. 5 ; pp. 192-198
論文種別:  特集論文 (ジャイアントマイクロエレクトロニクスとその応用論文特集)
専門分野: 
キーワード: 
アモルファスシリコンポスト水素化薄膜トランジスタ移動度しきい電圧
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