キーワード : 界面準位密度


ZrO2/Al2O3積層膜をゲート絶縁膜に用いたn-GaN MISダイオードの比誘電率と界面特性
樹神 真太郎 徳田 博邦 原 正明 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2015/02/01
Vol. J98-C  No. 2 ; pp. 27-33
論文種別:  論文
専門分野: 半導体材料・デバイス
キーワード: 
GaNAl2O3ZrO2界面準位密度比誘電率
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反転層容量における量子力学的効果が準静的C-V特性による界面準位密度の評価に及ぼす影響
富田 洋輔 古賀 実 大村 泰久 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1998/09/25
Vol. J81-C2  No. 9 ; pp. 781-782
論文種別:  レター
専門分野: 
キーワード: 
界面準位密度量子力学的効果反転層準静的C-V特性
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Si超薄膜界面制御層を用いたInGaAsMISFETの製作とその電気的特性の評価
謝 永桂 鈴木 敏 澤田 孝幸 長谷川 英機 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1993/07/25
Vol. J76-C2  No. 7 ; pp. 501-510
論文種別:  論文
専門分野: 半導体材料・デバイス
キーワード: 
InGaAsMISFET界面準位密度ドレーン電流ドリフト特性
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