キーワード : 強誘電体


積層方式NAND構造1トランジスタ型FeRAMの読出し方式の検討
菅野 孝一 渡辺 重佳 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2008/11/01
Vol. J91-C  No. 11 ; pp. 668-669
論文種別:  レター
専門分野: 
キーワード: 
不揮発性メモリFeRAM強誘電体積層方式NAND構造
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非線形誘電率顕微鏡と次世代超高密度強誘電体記録
長 康雄 小田川 裕之 大原 鉱也 平永 良臣 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2005/01/01
Vol. J88-C  No. 1 ; pp. 1-12
論文種別:  招待論文
専門分野: 
キーワード: 
走査型非線形誘電率顕微鏡強誘電体分極ドメイン強誘電体記録非線形誘電率
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微小交流電流駆動法による直流生体信号計測用変調型絶縁物電極
 譲 中添 淳 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 D
発行日: 2004/02/01
Vol. J87-D2  No. 2 ; pp. 735-744
論文種別:  論文
専門分野: 医用工学
キーワード: 
直流生体信号絶縁物電極定電流変調強誘電体
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エピタキシャルゲート構造を有する強誘電体ゲートFETの試作と電気特性
右田 真司 坂巻 和男 熊 四輩 太田 裕之 垂井 康夫 酒井 滋樹 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2002/01/01
Vol. J85-C  No. 1 ; pp. 14-22
論文種別:  論文
専門分野: 電子材料
キーワード: 
強誘電体トランジスタメモリエピタキシシリコン
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Pb(Zr,Ti)O3薄膜成長における気相及びターゲットからの酸素導入の検討
金 済徳 佐々木 公洋 畑 朋延 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2000/11/25
Vol. J83-C  No. 11 ; pp. 1036-1042
論文種別:  論文
専門分野: 半導体材料・デバイス
キーワード: 
準金属モード酸素供給源反応性スパッタリング強誘電体Pb(Zr,Ti)O3
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強誘電体コンデンサのインプリント特性モデルの開発とその不具合評価方法
西村 清 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1998/11/25
Vol. J81-C2  No. 11 ; pp. 857-864
論文種別:  論文
専門分野: 半導体材料・デバイス
キーワード: 
強誘電体ヒステリシス特性インプリント特性モデル不揮発性RAM
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強誘電体メモリの読出し応答解析
西村 清 淵上 貴昭 干場 一博 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1998/06/25
Vol. J81-C2  No. 6 ; pp. 534-541
論文種別:  論文
専門分野: 半導体材料・デバイス
キーワード: 
強誘電体過渡特性不揮発性RAMシミュレーションモデル
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強誘電体過渡応答特性モデルの開発とその応用
西村 清 淵上 貴昭 干場 一博 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1998/02/25
Vol. J81-C2  No. 2 ; pp. 251-258
論文種別:  論文
専門分野: 半導体材料・デバイス
キーワード: 
強誘電体過渡特性不揮発性RAMシミュレーションモデル
 あらまし | 本文:PDF(480.2KB)

強誘電体ヒステリシス特性モデルの開発とその応用
西村 清 淵上 貴昭 干場 一博 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1997/07/25
Vol. J80-C2  No. 7 ; pp. 229-235
論文種別:  論文
専門分野: 半導体材料・デバイス
キーワード: 
強誘電体ヒステリシス特性不揮発性RAMシミュレーションモデル
 あらまし | 本文:PDF(449.8KB)