キーワード : バイアス電圧


バイアス条件を考慮した半導体素子の非接触IM測定法
安藤 佑悟 久我 宣裕 
誌名:   
発行日: 2019/03/01
Vol. J102-C  No. 3 ; pp. 44-50
論文種別:  特集論文 (社会システムの変革を牽引するヘテロインテグレーション技術論文特集)
専門分野: 
キーワード: 
相互変調ひずみ非線形ノイズ非接触測定バイアス電圧2端子半導体素子
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非対称二重障壁構造における滞在時間の共鳴点電圧依存性
阿部 真幸 濱口 浩規 山本 弘明 山田 徳史 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2004/09/01
Vol. J87-C  No. 9 ; pp. 720-728
論文種別:  論文
専門分野: 半導体材料・デバイス
キーワード: 
共鳴トンネル非対称二重障壁構造バイアス電圧滞在時間共鳴条件
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