キーワード : ドライエッチング


常温接続によるシリコン貫通電極チップ三次元化技術
田中 直敬 吉村 保廣 川下 道宏 内藤 孝洋 植松 俊英 宮崎 忠一 當麻 展久 花田 賢次 中西 正樹 菊池 隆文 赤沢 隆 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2008/11/01
Vol. J91-C  No. 11 ; pp. 542-551
論文種別:  特集論文 (先端電子デバイスパッケージと高密度実装プロセス技術の最新動向論文特集)
専門分野: SiP(System in Package)技術
キーワード: 
貫通電極かしめ常温接続ドライエッチング三次元接続
 あらまし | 本文:PDF(2.4MB)

SiCにおける素子形成プロセス技術の現状
大野 俊之 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1998/01/25
Vol. J81-C2  No. 1 ; pp. 128-133
論文種別:  招待論文 (ワイドギャップ半導体とそのデバイス応用論文小特集)
専門分野: シリコンカーバイド(SiC)
キーワード: 
シリコンカーバイドデバイスプロセスイオン注入オーミック電極ドライエッチング
 あらまし | 本文:PDF(413.3KB)

/族半導体のCl2-ECRプラズマエッチングおよびその光素子への応用
吉川 隆士 河本 滋 杉本 喜正 浅川 潔 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1994/05/25
Vol. J77-C1  No. 5 ; pp. 260-267
論文種別:  特集論文 (集積ホトニクス技術論文特集)
専門分野: 半導体デバイス
キーワード: 
ドライエッチング塩素反応性イオンビームエッチング(RIBE)
 あらまし | 本文:PDF(633.7KB)