キーワード : デバイスシミュレーション


表面伝導型ダイヤモンドFETのデバイスシミュレーションに関する検討
大石 敏之 岸川 拓也 吉川 大地 平間 一行 嘉数 誠 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2016/05/01
Vol. J99-C  No. 5 ; pp. 193-201
論文種別:  特集論文 (エレクトロニクス分野におけるシミュレーション技術の進展論文特集)
専門分野: 
キーワード: 
ダイヤモンド電界効果トランジスタデバイスシミュレーション固定電荷NO2吸着
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トンネルFETのデバイスモデリング
福田 浩一 森 貴洋 森田 行則 水林 亘 昌原 明植 右田 真司 太田 裕之 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2016/05/01
Vol. J99-C  No. 5 ; pp. 173-181
論文種別:  招待論文 (エレクトロニクス分野におけるシミュレーション技術の進展論文特集)
専門分野: 
キーワード: 
トンネルFETデバイスシミュレーションバンド間トンネルコンパクトモデル非局所
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実験とデバイスシミュレーションによるnMOSFETの応力に起因したDC特性変動評価
小金丸 正明 池田 徹 宮崎 則幸 友景 肇 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2007/04/01
Vol. J90-C  No. 4 ; pp. 351-362
論文種別:  論文
専門分野: 半導体材料・デバイス
キーワード: 
残留応力nMOSFET相互コンダクタンス変形ポテンシャルデバイスシミュレーション
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原子レベルプロセスデバイスシミュレーションの進展と応用:微細MOSFETの真性ばらつき解析
羽根 正巳 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2005/09/01
Vol. J88-C  No. 9 ; pp. 700-707
論文種別:  解説論文
専門分野: 
キーワード: 
プロセスシミュレーションデバイスシミュレーションばらつきTCAD
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GaAsMESFETにおける相互コンダクタンスとドレーンコンダクタンス周波数分散の解析
蓮見 由美子 大島 勉 松永 信敏 古寺 博 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2005/05/01
Vol. J88-C  No. 5 ; pp. 321-328
論文種別:  論文
専門分野: 半導体材料・デバイス
キーワード: 
GaAs MESFETsGmGdの周波数分散ゲートラグ深い準位デバイスシミュレーション
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多結晶シリコン薄膜トランジスタの電気特性解析とデバイスシミュレーションによる表裏絶縁膜界面と結晶粒界のトラップ準位の評価
木村 睦 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2004/08/01
Vol. J87-C  No. 8 ; pp. 632-640
論文種別:  論文
専門分野: 半導体材料・デバイス
キーワード: 
多結晶シリコン薄膜トランジスタpoly-Si TFT電気特性解析デバイスシミュレーション
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低温ポリシリコンTFTの光電流に関する解析とデバイスシミュレーションを用いたLDD設計
南野 裕 千田 耕司 真下 俊次 倉増 敬三郎 筒 博司 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2001/10/01
Vol. J84-C  No. 10 ; pp. 995-1001
論文種別:  論文
専門分野: 電子ディスプレイ
キーワード: 
低温poly-Si光電流LDD構造空乏層デバイスシミュレーション
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GaAsMESFETにおけるゲートラグに対する表面トラップ効果のシミュレーション
蓮見 由美子 古寺 博 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2001/04/01
Vol. J84-C  No. 4 ; pp. 286-293
論文種別:  論文
専門分野: 半導体材料・デバイス
キーワード: 
GaAsMESFETデバイスシミュレーション表面トラップ直流特性ゲートラグ
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熱相互作用を取り入れたシリコンMOSFETのサーマルブレークダウンシミュレーション
川島 博文 壇 良 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1998/09/25
Vol. J81-C2  No. 9 ; pp. 771-776
論文種別:  論文
専門分野: 半導体材料・デバイス
キーワード: 
デバイスシミュレーション非等温場自己発熱MOSFETブレークダウン
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新しい移動度モデルに基づく多結晶シリコンTFTの2次元解析
山田 想 加藤 典司 小柳 光正 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1993/05/25
Vol. J76-C2  No. 5 ; pp. 291-298
論文種別:  特集論文 (ジャイアントマイクロエレクトロニクスとその応用論文特集)
専門分野: 
キーワード: 
薄膜トランジスタポリシリコンデバイスシミュレーション短チャネル効果移動度モデル
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へいゲートSIT:その特性と設計
矢野 浩司 金 昌佑 木村 雅和 本山 慎一 田中 昭 助川 徳三 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1992/04/25
Vol. J75-C2  No. 4 ; pp. 165-171
論文種別:  論文
専門分野: 半導体材料・デバイス
キーワード: 
静電誘導オン抵抗ブロッキングゲインデバイスシミュレーション高純度Si結晶
 あらまし | 本文:PDF(460.5KB)