キーワード : シリコン


超高速パケットネットワーク技術
山中 直明 大木 英司 
誌名:   
発行日: 2017/09/01
Vol. J100-B  No. 9 ; pp. 611-625
論文種別:  招待論文 (100周年記念招待論文特集)
専門分野: 
キーワード: 
パケットスイッチスケジューリングネットワークシリコンガリウムヒ素光インターコネクションマルチチップモジュール
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大きな偏光分離角を有する斜め配向シリコン蒸着膜の低損失化
稲葉 巧 白石 和男 室 幸市 大野 泰司 依田 秀彦 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2009/03/01
Vol. J92-C  No. 3 ; pp. 104-105
論文種別:  レター
専門分野: 
キーワード: 
偏光分離素子柱状構造シリコン斜め蒸着
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シリコンイオンを注入した石英板からの青色発光帯の観測
三浦 健太 種村 豪 花泉 修 山本 春也 高野 勝昌 杉本 雅樹 吉川 正人 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2007/08/01
Vol. J90-C  No. 8 ; pp. 618-620
論文種別:  ショートノート
専門分野: 
キーワード: 
シリコン石英青色発光帯イオン注入アニール
 あらまし | 本文:PDF(160.2KB)

シリコン単結晶における複空孔 - 酸素複合欠陥の形成・分解機構
古橋 壮之 谷口 研二 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2005/10/01
Vol. J88-C  No. 10 ; pp. 802-807
論文種別:  論文
専門分野: 半導体材料・デバイス
キーワード: 
シリコン複空孔 - 酸素複合欠陥 (V2O)第一原理計算
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Si共鳴トンネリングMOSトランジスタによる多値論理回路の可能性
松尾 直人 山本 暁徳 北門 良隆 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2003/12/01
Vol. J86-C  No. 12 ; pp. 1370-1371
論文種別:  ショートノート
専門分野: 
キーワード: 
シリコン共鳴トンネリングMOSトランジスタ論理回路
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シリコンナノ構造からの電子の電界放出
田部 道晴 澤田 和明 ラトノ ヌルヤディ 杉木 幹生 石川 靖彦 石田 誠 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2002/09/01
Vol. J85-C  No. 9 ; pp. 803-809
論文種別:  解説論文
専門分野: 
キーワード: 
シリコンフィールドエミッタナノ構造ナノエミッタ
 あらまし | 本文:PDF(1.1MB)

単一モード用シリコン導波路のための入出力端子構造
木下 武 清水 彰 飯田 幸雄 大村 泰久 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2002/06/01
Vol. J85-C  No. 6 ; pp. 497-499
論文種別:  レター
専門分野: 
キーワード: 
シリコン光導波路単一モード入出力
 あらまし | 本文:PDF(143.1KB)

エピタキシャルゲート構造を有する強誘電体ゲートFETの試作と電気特性
右田 真司 坂巻 和男 熊 四輩 太田 裕之 垂井 康夫 酒井 滋樹 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2002/01/01
Vol. J85-C  No. 1 ; pp. 14-22
論文種別:  論文
専門分野: 電子材料
キーワード: 
強誘電体トランジスタメモリエピタキシシリコン
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シリコンの選択エピタキシャル成長による素子分離の試み
堀 敦 平井 健裕 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1996/06/25
Vol. J79-C2  No. 6 ; pp. 266-272
論文種別:  特集論文 (ディープサブミクロンMOSトランジスタ技術小特集)
専門分野: 
キーワード: 
シリコン選択エピ微細化超高真空CVD
 あらまし | 本文:PDF(458KB)

紫外線照射による低温におけるシリコンの増速熱窒化
石川 豊 玉川 知久 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1995/12/25
Vol. J78-C2  No. 12 ; pp. 547-553
論文種別:  論文
専門分野: 半導体材料・デバイス
キーワード: 
シリコン直接窒化紫外線低温化
 あらまし | 本文:PDF(413.4KB)