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| キーワード : オン抵抗
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ハイパワーAlGaN/GaN HFET
吉田 清輝 | 誌名: 電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2003/04/01
Vol. J86-C
No. 4 ;
pp. 412-418
論文種別:
招待論文 (ワイドギャップ半導体とその電子デバイス応用論文小特集)
専門分野:
キーワード:
GaN, AlGaN, HFET, MBE, オン抵抗, | | | あらまし | 本文:PDF(301.4KB) | |
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ダイヤモンドの結晶成長とその半導体デバイスへの応用
塩見 弘 | 誌名: 電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1998/01/25
Vol. J81-C2
No. 1 ;
pp. 151-161
論文種別:
招待論文 (ワイドギャップ半導体とそのデバイス応用論文小特集)
専門分野: ダイヤモンド
キーワード:
ダイヤモンド, 結晶成長, パワーデバイス, オン抵抗, ステップフロー成長, | | | あらまし | 本文:PDF(842.3KB) | |
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へいゲートSIT：その特性と設計