キーワード : オン抵抗


車載応用次世代パワーデバイス―GaNパワーデバイスの挑戦―
加地 徹 
誌名:   
発行日: 2020/07/01
Vol. J103-C  No. 7 ; pp. 331-340
論文種別:  招待論文
専門分野: 半導体材料・デバイス
キーワード: 
EVパワーエレクトロニクスGaNパワーデバイス高速スイッチオン抵抗
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ハイパワーAlGaN/GaN HFET
吉田 清輝 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2003/04/01
Vol. J86-C  No. 4 ; pp. 412-418
論文種別:  招待論文 (ワイドギャップ半導体とその電子デバイス応用論文小特集)
専門分野: 
キーワード: 
GaNAlGaNHFETMBEオン抵抗
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シリコン超接合デバイス
大西 泰彦 藤平 龍彦 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2002/11/01
Vol. J85-C  No. 11 ; pp. 968-977
論文種別:  解説論文
専門分野: 
キーワード: 
パワー半導体デバイス超接合オン抵抗耐圧スイッチング時間
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新型CMOSシナプス回路
範 公可 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 A
発行日: 2001/02/01
Vol. J84-A  No. 2 ; pp. 246-248
論文種別:  レター
専門分野: 
キーワード: 
重み値相互コンダクタンス gmチャネル形状(W/L)オン抵抗シナプス
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半導体シリコンカーバイド(SiC)の進展
松波 弘之 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1998/01/25
Vol. J81-C2  No. 1 ; pp. 105-111
論文種別:  招待論文 (ワイドギャップ半導体とそのデバイス応用論文小特集)
専門分野: シリコンカーバイド(SiC)
キーワード: 
シリコンカーバイドステップ制御エピタキシショットキーダイオードパワートランジスタオン抵抗
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ダイヤモンドの結晶成長とその半導体デバイスへの応用
塩見 弘 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1998/01/25
Vol. J81-C2  No. 1 ; pp. 151-161
論文種別:  招待論文 (ワイドギャップ半導体とそのデバイス応用論文小特集)
専門分野: ダイヤモンド
キーワード: 
ダイヤモンド結晶成長パワーデバイスオン抵抗ステップフロー成長
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へいゲートSIT:その特性と設計
矢野 浩司 金 昌佑 木村 雅和 本山 慎一 田中 昭 助川 徳三 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1992/04/25
Vol. J75-C2  No. 4 ; pp. 165-171
論文種別:  論文
専門分野: 半導体材料・デバイス
キーワード: 
静電誘導オン抵抗ブロッキングゲインデバイスシミュレーション高純度Si結晶
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U溝自己整合形パワーMOSFET(US-DMOS)の提案と評価
森川 正敏 小林 正義 福田 隆 藤田 譲 吉田 功 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1992/02/25
Vol. J75-C2  No. 2 ; pp. 85-91
論文種別:  論文
専門分野: 半導体材料・デバイス
キーワード: 
オン抵抗アバランシ耐量パワーMOSFET自己整合U溝
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