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Volume J72-C2 No.5  (発行日:1989/05/25)
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シリコンLSIの高性能化技術特集

pp.281-282  巻頭言
シリコンLSIの高性能化技術論文特集号の発刊にあたって
佐々木 元  
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pp.283-297  招待論文
BiCMOS LSIの現状と将来
堀口 勝治  大森 康生  赤沢 幸雄  
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pp.298-311  招待論文
高性能サブミクロンデバイス技術の現状と将来
増原 利明  下東 勝博  武田 英次  
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pp.312-319  招待論文
超LSI多層配線技術の現状と将来
巴月 良一  牛久 幸広  松田 哲朗  柏木 正弘  
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pp.320-331  招待論文
高性能シリコンLSI用結晶技術の現状と将来
津屋 英樹  
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pp.332-338  論文-回路技術・プロセッサ
24ビット浮動小数点信号処理プロセッサ/mSP2
島津 之彦  見学 徹  藤山 等章  坂下 徳美  寺岡 栄一  徳田 健  辻道 信吾  
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pp.339-345  論文-回路技術・プロセッサ
55ビットALUを搭載した32ビット浮動小数点シグナルプロセッサ
黒田 一朗  川上 雄一  西谷 隆夫  抜山 知二  
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pp.346-353  論文-回路技術・プロセッサ
実時間映像信号処理LSI-Picotのアーキテクチャ
八木 伸行  矢島 亮一  榎並 和雅  三上 繁実  佐々木 信之  星野 浩二  春川 和弘  山田 秀喜  
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pp.354-361  論文-回路技術・プロセッサ
ディジタル画像用幾何変換LSI
仲西 正  山内 寛紀  吉村 寛  
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pp.362-367  論文-回路技術・プロセッサ
VLSI向きデータ駆動形プロセッサの一実現法
芳田 真一  岡本 俊弥  松本 敏  東 大祐  小松 宏二  宮田 宗一  
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pp.368-376  論文-回路技術・ASIC
バイポーラ超高速マクロセルアレー
平田 道広  鈴木 正雄  小中 信典  山中 直明  
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pp.377-383  論文-回路技術・ASIC
1MDRAM搭載72kゲート全面素子型CMOSゲートアレー
沢田 和宏  内野 幸則  小林 照雄  飯塚 哲哉  
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pp.384-390  論文-回路技術・メモリ
256k 13ns CMOS SRAM
朝比奈 克志  村上 修二  一瀬 勝樹  南 ふゆみ  舟越 也寿宏  
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pp.391-398  論文-回路技術・メモリ
LANのアドレスフィルタリングを超高速に処理する16kbitストリングサーチエンジンLSI
山田 八郎  村田 泰一  前田 利夫  池田 連也  本橋 憲一  高橋 恒介  
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pp.399-406  論文-回路技術・メモリ
3次元光結合共有メモリのメモリセル設計
高田 浩和  森 弘樹  広瀬 全孝  小柳 光正  
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pp.407-413  論文-回路技術・メモリ
バイポーラメモリLSIのメモリセルコレクタ電圧の統計的解析手法
本間 紀之  猪平 進  
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pp.414-419  論文-回路技術・回路一般
高速バイポーラプロセスESPERによる4Gbit/s光伝送用IC
出口 達也  濱野 宏  田原 昭紀  高田 忠一  
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pp.420-427  論文-回路技術・回路一般
Hi-BiCMOS回路と高速論理VLSIへの応用
村林 文夫  西尾 洋二  古徳 正一  上遠野 臣司  
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pp.428-433  論文-回路技術・回路一般
高速CMOSおよびBiCMOS駆動回路の設計
山品 正勝  岡本 冬樹  後藤 順一  山田 八郎  
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pp.434-441  論文-回路技術・回路一般
双方向電流モード多値並列乗算器の高性能化
川人 祥二  亀山 充隆  樋口 龍雄  
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pp.442-448  論文-回路技術・回路一般
7トランジスタ構成セルによる単一信号バス型3ポートレジスタファイル
高田 正日出  吉田 正昭  
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pp.449-455  論文-回路技術・回路一般
32ビットマイクロプロセッサTX1のテスト容易化設計と実評価への適用
西村 明  野津山 泰幸  岩村 淳  
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pp.456-462  論文-デバイス技術・MOS
サブミクロンCMOSデバイスにおける非対称特性の改善
藪 俊樹  栗本 一実  山内 寛行  福本 正紀  大曽根 隆志  
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pp.463-468  論文-デバイス技術・MOS
0.5μm幅トレンチ分離MOSFETのホットキャリヤ効果
赤松 晋  堀 隆  布施 玄秀  辻 和彦  
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pp.469-477  論文-デバイス技術・MOS
Si選択エピ成長とCMOS素子分離への適用
遠藤 伸裕  笠井 直記  石谷 明彦  北島 洋  
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pp.478-483  論文-デバイス技術・バイポーラ
プラズマ堆積μc-SiヘテロエミッタによるSi-HBTの基礎検討
佐々木 公洋  深沢 剛  古川 静二郎  
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pp.484-489  論文-デバイス技術・バイポーラ
超高速自己整合デバイス(SICOS)の交流特性におけるベース周辺成分の影響
芝 健夫  玉置 洋一  中村 徹  難波 光夫  池田 清治  
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pp.490-497  論文-デバイス技術・バイポーラ
側壁ベース電極形トランジスタ特性の構造依存性
鷲尾 勝由  中里 和郎  中村 徹  
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pp.498-503  論文-デバイス技術・バイポーラ
超高速バイポーラデバイス技術:SATURN
沖田 佳久  篠澤 正彦  梅村 佳男  山口 和夫  赤羽 功司  
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pp.504-509  論文-デバイス技術・バイポーラ
超高速シリコンバイポーラIC技術:SST-1B
小中 信典  山本 栄一  佐久間 一人  雨宮 好仁  酒井 徹志  
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pp.510-519  論文-デバイス技術・SOI
電子線アニール法を用いて作製した薄膜SOI・MOS素子の基本特性
吉見 信  高橋 稔  間 博顕  神林 茂  名取 研二  
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pp.520-525  論文-デバイス技術・SOI
基板バイアスによるSOI垂直バイポーラトランジスタの電流増幅率の増加
後藤 寛  有本 由弘  尾関 雅志  今岡 和典  
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pp.526-534  論文-デバイス技術・SOI
画像信号処理の基本機能を有する3次元回路素子の試作
須賀原 和之  山口 泰男  楠 茂  井上 靖朗  熊本 敏夫  中川 伸一  中屋 雅夫  西村 正  赤坂 洋一  
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pp.535-541  論文-デバイス技術・SOI
レーザ再結晶化Siを用いた高機能デバイス
鬼追 一雅  豊山 愼治  前川 真司  木場 正義  
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pp.542-547  論文-デバイス技術・デバイス一般
超高速LSI用デバイス・配線構造
大見 忠弘  今井 茂  橋本 尚  
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pp.548-553  論文-デバイス技術・デバイス一般
インテリジェントホワイトバランスセンサの開発
京増 幹雄  山下 富高  佐原 正哲  
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pp.554-561  論文-プロセス
新しいレジストを用いたエキシマレーザリソグラフィ
谷 美幸  遠藤 政孝  笹子 勝  平井 義彦  小川 一文  
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pp.562-570  論文-プロセス
ホログラフィ法によるステッパ用高精度位置合せ技術
野村 登  山下 一博  久保 圭司  山田 雄一郎  鈴木 正樹  竹本 豊樹  
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pp.571-576  論文-プロセス
高濃度イオン注入層の低温アニール技術
大見 忠弘  石原 良夫  柴田 直  沖田 彰  
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pp.577-582  論文-プロセス
シリコンとAl3Ta膜とのコンタクト構造の安定性
佐々木 克孝  野矢 厚  梅沢 利二  
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pp.583-588  論文-結晶
Si-MBE技術を用いたデバイス試作と選択成長
平山 博之  辰巳 徹  相崎 尚昭  
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pp.589-594  論文-結晶
エキシマレーザゲッタリングにおける欠陥の形成機構とゲッタリング効果
酒井 朗  竹村 和美  豊川 文敏  三上 雅生  大下 祥雄  石谷 明彦  
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pp.595-601  論文-結晶
Auをマーカに用いたゲッタリングによるシリコン結晶の清浄化
樋口 久幸  中村 秀一  
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