高田 俊明


ECRプラズマCVDによるSi薄膜の選択エピタキシャル成長
高田 俊明 佐々木 公洋 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1999/04/25
Vol. J82-C2  No. 4  pp. 197-202
論文種別:  論文
専門分野: 半導体材料・デバイス
キーワード: 
選択成長低温エピタキシャル成長エッチングECRプラズマCVDSi
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