高木　信一

材料エンジニアリングによるトンネル電界効果トランジスタの高性能化
高木　信一 加藤　公彦 安　大煥 後藤　高寛 松村　亮 高口　遼太郎 竹中　充 
誌名:   
発行日: 2019/03/01
Vol. J102-C  No. 3  pp. 61-69
論文種別:  招待論文
専門分野: 半導体材料・デバイス
キーワード: 
トンネリング, FET, S.S.値, 
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III-V CMOSフォトニクスを用いた光電子融合集積回路プラットホーム技術
竹中　充 一宮　佑希 程　勇鵬 金　相賢 高木　信一 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2014/03/01
Vol. J97-C  No. 3  pp. 95-103
論文種別:  招待論文
専門分野: 光エレクトロニクス
キーワード: 
III-V-OI, CMOSフォトニクス, III-V細線導波路, InGaAs MOSトランジスタ, 
 あらまし | 本文:PDF(2.2MB)
真空蒸着膜を用いたInP MIS形電界効果トランジスタの試作
高木　信一 菅野　卓雄 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1987/05/25
Vol. J70-C  No. 5  pp. 625-630
論文種別:  特集論文 (-族半導体デバイスと集積回路特集)
専門分野: プロセス・デバイス
キーワード: 
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