長谷川 英機


化合物半導体電子デバイス及び関連材料研究の歴史的発展と将来展望
長谷川 英機 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2009/08/01
Vol. J92-C  No. 8  pp. 454-466
論文種別:  招待論文 (エレクトロニクスソサイエティ和文論文誌500号記念論文特集)
専門分野: 電子デバイス
キーワード: 
化合物半導体電子デバイス高速デバイス半導体材料集積回路
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InP系高速デバイス用多層エピタキシャル構造のSi超薄膜による表面不活性化
謝 永桂 高橋 賢 高橋 浩 江 潮 葛西 誠也 長谷川 英機 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2001/09/01
Vol. J84-C  No. 9  pp. 872-882
論文種別:  論文
専門分野: 半導体材料・デバイス
キーワード: 
表面不活性化シリコン界面制御層インジウムリン系材料高速デバイスC-V特性
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Si超薄膜界面制御層を用いたInGaAsMISFETの製作とその電気的特性の評価
謝 永桂 鈴木 敏 澤田 孝幸 長谷川 英機 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1993/07/25
Vol. J76-C2  No. 7  pp. 501-510
論文種別:  論文
専門分野: 半導体材料・デバイス
キーワード: 
InGaAsMISFET界面準位密度ドレーン電流ドリフト特性
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DC-SQUIDにおけるノイズ特性の解析
松田 瑞史 栗城 真也 又地 淳 長谷川 英機 濱崎 勝義 山下 努 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1989/02/25
Vol. J72-C2  No. 2  pp. 148-157
論文種別:  論文
専門分野: 超伝導エレクトロニクス
キーワード: 
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有機金属気相成長法によるGaAs再成長界面の評価
池田 英治 長谷川 英機 大野 英男 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1988/01/25
Vol. J71-C  No. 1  pp. 46-52
論文種別:  論文
専門分野: 半導体材料・デバイス
キーワード: 
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GaAsモノリシックマイクロ波集積回路用クロスタイコプレーナ遅波線路の理論的および実験的検討
関 昇平 長谷川 英機 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 B
発行日: 1985/05/25
Vol. J68-B  No. 5  pp. 570-577
論文種別:  論文
専門分野: 無線・衛星通信
キーワード: 
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液相エピタキシアル法による不純物ドープGaAs高抵抗層の作製
小島 清明 長谷川 英機 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1980/11/25
Vol. J63-C  No. 11  pp. 766-773
論文種別:  論文
専門分野: 
キーワード: 
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電子-正孔磁化プラズマ中の表面波増幅に対する拡散の効果
長谷川 英機 山中 孝昭 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1974/01/25
Vol. J57-C  No. 1  pp. 19-21
論文種別:  技術談話室
専門分野: 
キーワード: 
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半導体集積回路配線の高周波伝送特性の測定
長谷川 英機 古川 三重子 柳井 久義 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 B
発行日: 1971/03/25
Vol. J54-B  No. 3  pp. 108-115
論文種別:  論文・資料
専門分野: 
キーワード: 
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Si-SiO2系を媒質とする平行平板伝送路の特性
長谷川 英機 柳井 久義 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 B
発行日: 1970/10/25
Vol. J53-B  No. 10  pp. 567-575
論文種別:  論文・資料
専門分野: 
キーワード: 
 あらまし | 本文:PDF(814.6KB)