謝 永桂


InP系高速デバイス用多層エピタキシャル構造のSi超薄膜による表面不活性化
謝 永桂 高橋 賢 高橋 浩 江 潮 葛西 誠也 長谷川 英機 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2001/09/01
Vol. J84-C  No. 9  pp. 872-882
論文種別:  論文
専門分野: 半導体材料・デバイス
キーワード: 
表面不活性化シリコン界面制御層インジウムリン系材料高速デバイスC-V特性
 あらまし | 本文:PDF(514.6KB)

Si超薄膜界面制御層を用いたInGaAsMISFETの製作とその電気的特性の評価
謝 永桂 鈴木 敏 澤田 孝幸 長谷川 英機 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1993/07/25
Vol. J76-C2  No. 7  pp. 501-510
論文種別:  論文
専門分野: 半導体材料・デバイス
キーワード: 
InGaAsMISFET界面準位密度ドレーン電流ドリフト特性
 あらまし | 本文:PDF(643.7KB)