菅野 卓雄


複合構造を用いた相補型Bi CMOS回路
藤島 実 浅田 邦博 菅野 卓雄 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1989/12/25
Vol. J72-C2  No. 12  pp. 1171-1174
論文種別:  レター
専門分野: 
キーワード: 
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粒界空乏層変調モデルによる外結晶シリコン薄膜トランジスタの動作シミュレーション
篠原 俊朗 浅田 邦博 菅野 卓雄 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1989/10/25
Vol. J72-C2  No. 10  pp. 919-926
論文種別:  論文
専門分野: 半導体材料・デバイス
キーワード: 
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真空蒸着膜を用いたInP MIS形電界効果トランジスタの試作
高木 信一 菅野 卓雄 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1987/05/25
Vol. J70-C  No. 5  pp. 625-630
論文種別:  特集論文 (-族半導体デバイスと集積回路特集)
専門分野: プロセス・デバイス
キーワード: 
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ディジタル化電子なだれ注入装置の試作とSiO2中の捕獲中心面密度分布の新しい算出法
羽路 伸夫 浅田 邦博 菅野 卓雄 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1983/12/25
Vol. J66-C  No. 12  pp. 1064-1071
論文種別:  特集論文 (LSI特集)
専門分野: 微細化デバイス
キーワード: 
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縮小CMOS,nMOSインバータのシミュレーションによる性能評価
吉田 育生 浅田 邦博 菅野 卓雄 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1983/12/25
Vol. J66-C  No. 12  pp. 1019-1026
論文種別:  特集論文 (LSI特集)
専門分野: 微細化デバイス
キーワード: 
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電子ビームリソグラフィーにおいてSi-SiO2界面に生じる照射損傷
菅野 卓雄 葉  
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1981/03/25
Vol. J64-C  No. 3  pp. 188-195
論文種別:  論文
専門分野: 
キーワード: 
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ガードリング付MOS容量の時間応答によるキャリヤ発生率の測定
吉田 実 菅野 卓雄 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1976/11/25
Vol. J59-C  No. 11  pp. 715-722
論文種別:  論文
専門分野: 
キーワード: 
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MOS容量の時間応答の解析
吉田 実 菅野 卓雄 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1976/08/25
Vol. J59-C  No. 8  pp. 475-482
論文種別:  論文
専門分野: 
キーワード: 
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ショットキー ダイオード マイクロ波受信ミキサの変換損失
森野 明彦 菅野 卓雄 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1971/03/25
Vol. J54-C  No. 3  pp. 193-199
論文種別:  論文・資料
専門分野: 
キーワード: 
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