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複合構造を用いた相補型Bi CMOS回路 藤島 実 浅田 邦博 菅野 卓雄 | 誌名: 電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1989/12/25
Vol. J72-C2
No. 12
pp. 1171-1174
論文種別:
レター 専門分野: キーワード:
| | あらまし | 本文:PDF(240.3KB) | |
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粒界空乏層変調モデルによる外結晶シリコン薄膜トランジスタの動作シミュレーション 篠原 俊朗 浅田 邦博 菅野 卓雄 | 誌名: 電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1989/10/25
Vol. J72-C2
No. 10
pp. 919-926
論文種別:
論文 専門分野: 半導体材料・デバイス キーワード:
| | あらまし | 本文:PDF(615.4KB) | |
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真空蒸着膜を用いたInP MIS形電界効果トランジスタの試作 高木 信一 菅野 卓雄 | 誌名: 電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1987/05/25
Vol. J70-C
No. 5
pp. 625-630
論文種別:
特集論文 (-族半導体デバイスと集積回路特集) 専門分野: プロセス・デバイス キーワード:
| | あらまし | 本文:PDF(487.1KB) | |
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ディジタル化電子なだれ注入装置の試作とSiO2中の捕獲中心面密度分布の新しい算出法 羽路 伸夫 浅田 邦博 菅野 卓雄 | 誌名: 電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1983/12/25
Vol. J66-C
No. 12
pp. 1064-1071
論文種別:
特集論文 (LSI特集) 専門分野: 微細化デバイス キーワード:
| | あらまし | 本文:PDF(648.6KB) | |
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縮小CMOS,nMOSインバータのシミュレーションによる性能評価 吉田 育生 浅田 邦博 菅野 卓雄 | 誌名: 電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1983/12/25
Vol. J66-C
No. 12
pp. 1019-1026
論文種別:
特集論文 (LSI特集) 専門分野: 微細化デバイス キーワード:
| | あらまし | 本文:PDF(660.7KB) | |
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電子ビームリソグラフィーにおいてSi-SiO2界面に生じる照射損傷 菅野 卓雄 葉 発 | 誌名: 電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1981/03/25
Vol. J64-C
No. 3
pp. 188-195
論文種別:
論文 専門分野: キーワード:
| | あらまし | 本文:PDF(622.4KB) | |
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ガードリング付MOS容量の時間応答によるキャリヤ発生率の測定 吉田 実 菅野 卓雄 | 誌名: 電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1976/11/25
Vol. J59-C
No. 11
pp. 715-722
論文種別:
論文 専門分野: キーワード:
| | あらまし | 本文:PDF(632.1KB) | |
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MOS容量の時間応答の解析 吉田 実 菅野 卓雄 | 誌名: 電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1976/08/25
Vol. J59-C
No. 8
pp. 475-482
論文種別:
論文 専門分野: キーワード:
| | あらまし | 本文:PDF(570.6KB) | |
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ショットキー ダイオード マイクロ波受信ミキサの変換損失 森野 明彦 菅野 卓雄 | 誌名: 電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1971/03/25
Vol. J54-C
No. 3
pp. 193-199
論文種別:
論文・資料 専門分野: キーワード:
| | あらまし | 本文:PDF(580.7KB) | |
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