船橋　博文

SPE法によるSOI層の熱酸化膜の評価
樹神　雅人 船橋　博文 光嶋　康一 多賀　康訓 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1997/05/25
Vol. J80-C2  No. 5  pp. 151-156
論文種別:  論文
専門分野: 半導体材料・デバイス
キーワード: 
SOI, SPE, LPCVD, OXIDE, 
 あらまし | 本文:PDF(394.6KB)
SPE法によるSOI層中の不純物拡散
樹神　雅人 上杉　勉 船橋　博文 光嶋　康一 多賀　康訓 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1997/05/25
Vol. J80-C2  No. 5  pp. 181-183
論文種別:  レター
専門分野: 
キーワード: 
SOI, SPE, LPCVD, 拡散, 
 あらまし | 本文:PDF(117.2KB)
SiH4を用いた清浄表面形成法によるSPE技術とSOI層の評価
樹神　雅人 船橋　博文 光嶋　康一 多賀　康訓 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1996/10/25
Vol. J79-C2  No. 10  pp. 507-513
論文種別:  論文
専門分野: 半導体材料・デバイス
キーワード: 
SOI, MOSFET, LPCVD, SPE, 
 あらまし | 本文:PDF(580.6KB)
CMOS処理回路を内蔵した32×32（1k）圧力センサアレー
杉山　進 川畑　賢 船橋　博文 瀧川　光治 五十嵐　伊勢美 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1991/05/25
Vol. J74-C2  No. 5  pp. 411-420
論文種別:  特集論文 (センサとLSIの知的集積化論文特集)
専門分野: マイクロマシニングセンサ
キーワード: 
 あらまし | 本文:PDF(624.5KB)