船橋 博文


SPE法によるSOI層の熱酸化膜の評価
樹神 雅人 船橋 博文 光嶋 康一 多賀 康訓 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1997/05/25
Vol. J80-C2  No. 5  pp. 151-156
論文種別:  論文
専門分野: 半導体材料・デバイス
キーワード: 
SOISPELPCVDOXIDE
 あらまし | 本文:PDF(394.6KB)

SPE法によるSOI層中の不純物拡散
樹神 雅人 上杉 勉 船橋 博文 光嶋 康一 多賀 康訓 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1997/05/25
Vol. J80-C2  No. 5  pp. 181-183
論文種別:  レター
専門分野: 
キーワード: 
SOISPELPCVD拡散
 あらまし | 本文:PDF(117.2KB)

SiH4を用いた清浄表面形成法によるSPE技術とSOI層の評価
樹神 雅人 船橋 博文 光嶋 康一 多賀 康訓 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1996/10/25
Vol. J79-C2  No. 10  pp. 507-513
論文種別:  論文
専門分野: 半導体材料・デバイス
キーワード: 
SOIMOSFETLPCVDSPE
 あらまし | 本文:PDF(580.6KB)

CMOS処理回路を内蔵した32×32(1k)圧力センサアレー
杉山 進 川畑 賢 船橋 博文 瀧川 光治 五十嵐 伊勢美 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1991/05/25
Vol. J74-C2  No. 5  pp. 411-420
論文種別:  特集論文 (センサとLSIの知的集積化論文特集)
専門分野: マイクロマシニングセンサ
キーワード: 
 あらまし | 本文:PDF(624.5KB)