羽路 伸夫


ゲート絶縁膜に液相堆積法によるSiO2膜を用いたSiMOSダイオードの諸特性
吉富 貞幸 富岡 聡志 羽路 伸夫 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1993/04/25
Vol. J76-C2  No. 4  pp. 110-117
論文種別:  論文
専門分野: 半導体材料・デバイス
キーワード: 
液相堆積法ゲート絶縁膜赤外線吸収界面準位
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ディジタル化電子なだれ注入装置の試作とSiO2中の捕獲中心面密度分布の新しい算出法
羽路 伸夫 浅田 邦博 菅野 卓雄 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1983/12/25
Vol. J66-C  No. 12  pp. 1064-1071
論文種別:  特集論文 (LSI特集)
専門分野: 微細化デバイス
キーワード: 
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