畑 朋延


Pb(Zr,Ti)O3薄膜成長における気相及びターゲットからの酸素導入の検討
金 済徳 佐々木 公洋 畑 朋延 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2000/11/25
Vol. J83-C  No. 11  pp. 1036-1042
論文種別:  論文
専門分野: 半導体材料・デバイス
キーワード: 
準金属モード酸素供給源反応性スパッタリング強誘電体Pb(Zr,Ti)O3
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PDP用カソード(La0.5Sr0.5CoO3)の放電集中の低減と寿命特性の改善
一番ヶ瀬 剛 畑 朋延 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2000/04/25
Vol. J83-C  No. 4  pp. 334-343
論文種別:  論文
専門分野: 電子ディスプレイ
キーワード: 
プラズマディスプレイ酸化物カソードペロブスカイト型酸化物低電力
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情報表示用DC型カラープラズマディスプレイの寿命特性の改善
一番ヶ瀬 剛 畑 朋延 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2000/04/25
Vol. J83-C  No. 4  pp. 344-352
論文種別:  論文
専門分野: 電子ディスプレイ
キーワード: 
カラープラズマディスプレイ放電ガスネオンキセノン寿命
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ネオンオレンジDC型プラズマディスプレイの低消費電力化
一番ヶ瀬 剛 畑 朋延 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2000/01/25
Vol. J83-C  No. 1  pp. 60-69
論文種別:  論文
専門分野: 電子ディスプレイ
キーワード: 
プラズマディスプレイペロブスカイト型の導電性酸化物カソード低電力カソード
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Si,Geのイオンビームスパッタ過程のモンテカルロシミュレーション
水谷 道夫 佐々木 公洋 畑 朋延 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1998/02/25
Vol. J81-C2  No. 2  pp. 245-250
論文種別:  論文
専門分野: 半導体材料・デバイス
キーワード: 
モンテカルロシミュレーションイオンビームスパッタ法SiGe
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光熱偏向分光法(PDS)によるイオン注入Si基板の評価
堀田 将 宮越 英司 矢後 健一 畑 朋延 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1989/07/25
Vol. J72-C2  No. 7  pp. 763-769
論文種別:  論文
専門分野: 半導体材料・デバイス
キーワード: 
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磁界圧着形マグネトロンスパッタ法によるa-Si薄膜の作成と特性
畑 朋延 上出 幸洋 中川 茂樹 服部 浩司 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1986/10/25
Vol. J69-C  No. 10  pp. 1239-1247
論文種別:  論文
専門分野: 半導体
キーワード: 
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磁性体ターゲットを用いた場合の磁界圧着形マグネトロンスパッタ装置の特性
畑 朋延 大坪 勝昭 高橋 隆一 波田 敏雄 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1986/01/25
Vol. J69-C  No. 1  pp. 131-138
論文種別:  論文
専門分野: 材料
キーワード: 
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磁界圧着形マグネトロンスパッタ法によるCo-Cr垂直磁化膜の作成と特性
畑 朋延 高橋 隆一 大坪 勝昭 喜多 豊 波田 敏雄 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1986/01/25
Vol. J69-C  No. 1  pp. 120-125
論文種別:  論文
専門分野: 材料
キーワード: 
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CdS高電界ドメインの伝搬特性に及ぼす音響損失の影響
古川 静二郎 畑 朋延 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1971/04/25
Vol. J54-C  No. 4  pp. 317-323
論文種別:  論文・資料
専門分野: 
キーワード: 
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CdS高電界ドメインの二次元伝搬特性
古川 静二郎 畑 朋延 本杉 常治 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1970/12/25
Vol. J53-C  No. 12  pp. 953-959
論文種別:  論文・資料
専門分野: 
キーワード: 
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超低速波回路の損失特性
古川 静二郎 畑 朋延 鈴木 秀治 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 B
発行日: 1968/01/25
Vol. J51-B  No. 1  pp. 38-39
論文種別:  研究速報
専門分野: 
キーワード: 
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