田中 秀治


Geを犠牲層に用いた圧電AlNラム波共振子
平野 圭介 木村 悟利 田中 秀治 江刺 正喜 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 A
発行日: 2013/06/01
Vol. J96-A  No. 6  pp. 327-334
論文種別:  特集論文 (周波数発生・制御デバイスの新展開論文特集)
専門分野: 
キーワード: 
MEMSGe犠牲層AlN圧電膜ラム波共振子
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高温成膜したチタン酸バリウムストロンチウム薄膜を用いた可変容量の集積化プロセス
森脇 政仁 掘露 伊保龍 門田 道雄 江刺 正喜 田中 秀治 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 A
発行日: 2013/06/01
Vol. J96-A  No. 6  pp. 342-350
論文種別:  特集論文 (周波数発生・制御デバイスの新展開論文特集)
専門分野: 
キーワード: 
チタン酸バリウムストロンチウム(BST)可変容量トランスファ法プラズマダメージ
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2進符号を教師信号にもつ階層型ニューラルネットの学習
船田 哲男 金寺 登 田中 秀治 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 D
発行日: 1990/09/25
Vol. J73-D2  No. 9  pp. 1574-1577
論文種別:  レター
専門分野: 
キーワード: 
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