生駒　俊明

半導体量子効果デバイスの展望
荒川　泰彦 生駒　俊明 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1987/05/25
Vol. J70-C  No. 5  pp. 592-602
論文種別:  招待論文 (-族半導体デバイスと集積回路特集)
専門分野: 
キーワード: 
 あらまし | 本文:PDF(1MB)
熱電子放出電流を用いたヘテロ接合界面の数値解析モデル
堀尾　和重 柳井　久義 生駒　俊明 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1986/02/25
Vol. J69-C  No. 2  pp. 232-234
論文種別:  技術談話室
専門分野: 
キーワード: 
 あらまし | 本文:PDF(192.2KB)
光励起DLTS法による少数キャリヤトラップの測定
滝川　正彦 生駒　俊明 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1981/01/25
Vol. J64-C  No. 1  pp. 32-38
論文種別:  論文
専門分野: 
キーワード: 
 あらまし | 本文:PDF(557.1KB)
GaAs陽極酸化とマイクロ波帯MOS電界効果トランジスタへの応用
徳田　博邦 安達　芳夫 生駒　俊明 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1979/08/25
Vol. J62-C  No. 8  pp. 580-587
論文種別:  論文
専門分野: 
キーワード: 
 あらまし | 本文:PDF(712.9KB)
GaAsプレーナデバイスの動作層に対する界面トラップの影響
谷本　正幸 伊東　朋弘 御代　時博 生駒　俊明 柳井　久義 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1978/04/25
Vol. J61-C  No. 4  pp. 227-234
論文種別:  論文
専門分野: 
キーワード: 
 あらまし | 本文:PDF(604KB)
MNOSダイオード中のトラップ密度分布と書き込み，消去，および保持特性の解析
勝部　昭明 安達　芳夫 生駒　俊明 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1976/02/25
Vol. J59-C  No. 2  pp. 99-106
論文種別:  論文
専門分野: 
キーワード: 
 あらまし | 本文:PDF(653.9KB)
GaAsプレーナ形デバイスに対するトラップと基板の影響
生駒　俊明 長島　厚 栗原　由紀子 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1974/12/25
Vol. J57-C  No. 12  pp. 469-470
論文種別:  技術談話室
専門分野: 
キーワード: 
 あらまし | 本文:PDF(200.4KB)
折線近似によるガン効果の電気二重層の過渡特性の解析
菅田　孝之 柳井　久義 生駒　俊明 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1970/04/25
Vol. J53-C  No. 4  pp. 245-252
論文種別:  論文・資料
専門分野: 
キーワード: 
 あらまし | 本文:PDF(744.9KB)
ガン効果を用いたディジタル素子のスイッチ特性
菅田　孝之 柳井　久義 生駒　俊明 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1970/04/25
Vol. J53-C  No. 4  pp. 253-260
論文種別:  論文・資料
専門分野: 
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 あらまし | 本文:PDF(765.3KB)
ガン効果発振の共振姿態の解析的理論と実験
生駒　俊明 鳥　英樹 柳井　久義 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 B
発行日: 1969/10/25
Vol. J52-B  No. 10  pp. 632-639
論文種別:  論文・資料
専門分野: 
キーワード: 
 あらまし | 本文:PDF(733.7KB)
折線近似によるガン効果の定常電気二重層の解析
生駒　俊明 鳥　英樹 柳井　久義 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1968/12/25
Vol. J51-C  No. 12  pp. 565-572
論文種別:  論文・資料
専門分野: 
キーワード: 
 あらまし | 本文:PDF(729.5KB)
LSA発振動作の解析的理論と実験
生駒　俊明 柳井　久義 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1968/12/25
Vol. J51-C  No. 12  pp. 557-564
論文種別:  論文・資料
専門分野: 
キーワード: 
 あらまし | 本文:PDF(758.3KB)