澤田 孝幸


Si超薄膜界面制御層を用いたInGaAsMISFETの製作とその電気的特性の評価
謝 永桂 鈴木 敏 澤田 孝幸 長谷川 英機 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1993/07/25
Vol. J76-C2  No. 7  pp. 501-510
論文種別:  論文
専門分野: 半導体材料・デバイス
キーワード: 
InGaAsMISFET界面準位密度ドレーン電流ドリフト特性
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