湯川 禎三


トップゲートTFTによる省プロセス高開口率ライトバルブ
鵜飼 育弘 湯川 禎三 中川 卓宣 中村 英樹 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1997/03/25
Vol. J80-C1  No. 3  pp. 130-131
論文種別:  レター論文
専門分野: 
キーワード: 
TFTライトバルブ高開口率省プロセス
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トップゲートTFTによる省プロセス高開口率ライトバルブ
鵜飼 育弘 湯川 禎三 中川 卓宣 中村 英樹 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1997/03/25
Vol. J80-C2  No. 3  pp. 113-114
論文種別:  レター論文
専門分野: 
キーワード: 
TFTライトバルブ高開口率省プロセス
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レーザリペア技術を用いたTFT-LCDの無点欠陥化
鵜飼 育弘 安居 勝 湯川 禎三 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1997/02/25
Vol. J80-C1  No. 2  pp. 90-91
論文種別:  レター論文
専門分野: 
キーワード: 
TFTリペアレーザカットレーザウェルド蓄積容量
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レーザリペア技術を用いたTFT-LCDの無点欠陥化
鵜飼 育弘 安居 勝 湯川 禎三 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1997/02/25
Vol. J80-C2  No. 2  pp. 85-86
論文種別:  レター論文
専門分野: 
キーワード: 
TFTリペアレーザカットレーザウェルド蓄積容量
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MOCVDによるGe/Si基板上へのGaAs成長
岡本 孝太郎 湯川 禎三 浅野 恭典 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1984/11/25
Vol. J67-C  No. 11  pp. 900-907
論文種別:  論文
専門分野: 
キーワード: 
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