河内 玄士朗


大粒径低温多結晶シリコン薄膜トランジスタにおけるチャージポンピング特性とMOS界面に関する考察
嘉藤 俊宏 河内 玄士朗 土屋 敏章 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2011/08/01
Vol. J94-C  No. 8  pp. 205-209
論文種別:  論文
専門分野: 半導体材料・デバイス
キーワード: 
薄膜トランジスタチャージポンピング特性粒界大粒径低温多結晶シリコン界面トラップ
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高周波プラズマドーピング法の低温多結晶シリコンTFT作製プロセスへの適用
河内 玄士朗 安藤 英美 青山 隆 小西 信武 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1993/05/25
Vol. J76-C2  No. 5  pp. 283-290
論文種別:  特集論文 (ジャイアントマイクロエレクトロニクスとその応用論文特集)
専門分野: 
キーワード: 
poly-Si TFT液晶ディスプレイプラズマドーピングエキシマレーザアニール
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