榎木 孝知


高電流密度で高信頼性を有するレッジ付きInP HBT
深井 佳乃 栗島 賢二 井田 実 山幡 章司 榎木 孝知 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2006/09/01
Vol. J89-C  No. 9  pp. 589-596
論文種別:  特集論文 (化合物半導体デバイスの高信頼化技術論文特集)
専門分野: 
キーワード: 
InP HBTレッジ構造高信頼化高電流密度
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超高速化合物半導体電子デバイスの可能性
榎木 孝知 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2006/03/01
Vol. J89-C  No. 3  pp. 79-86
論文種別:  招待論文
専門分野: 
キーワード: 
化合物半導体トランジスタHEMTHBT
 あらまし | 本文:PDF(832.6KB)