松谷　晃宏

スローライトを利用した全反射型光スイッチ
淵田　歩 松谷　晃宏 小山　二三夫 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2012/04/01
Vol. J95-C  No. 4  pp. 75-83
論文種別:  論文
専門分野: レーザ・量子エレクトロニクス
キーワード: 
スローライト, 光スイッチ, ブラッグ反射鏡, 
 あらまし | 本文:PDF(1.3MB)
GaAs/GaAlAs系面発光レーザにおけるAlAs選択酸化プロセスの改良と単一モード発振特性
武内　健一郎 松谷　晃宏 小山　二三夫 伊賀　健一 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2000/09/25
Vol. J83-C  No. 9  pp. 904-907
論文種別:  レター
専門分野: 
キーワード: 
面発光レーザ, 選択酸化, 電子ビーム露光, 誘導結合型プラズマ, 
 あらまし | 本文:PDF(839KB)
微小共振器面発光レーザによる近接場光生成
品田　聡 小山　二三夫 西山　伸彦 荒井　昌和 松谷　晃宏 後藤　顕也 伊賀　健一 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2000/09/25
Vol. J83-C  No. 9  pp. 826-834
論文種別:  論文
専門分野: レーザ・量子エレクトロニクス
キーワード: 
光メモリ, 近接場光, 面発光レーザ, 有限要素法, 
 あらまし | 本文:PDF(582.1KB)
GaN系面発光レーザの設計と製作技術に関する基礎検討
本田　徹 白澤　智恵 持田　宣晃 井上　彰 松谷　晃宏 坂口　孝浩 小山　二三夫 川西　英雄 伊賀　健一 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1998/01/25
Vol. J81-C2  No. 1  pp. 97-104
論文種別:  特集論文 (ワイドギャップ半導体とそのデバイス応用論文小特集)
専門分野: －族窒化物半導体
キーワード: 
GaN, 面発光レーザ, 高反射率反射鏡, RIBE, 電流狭窄, BAlGaN, 有機金属気相成長, 
 あらまし | 本文:PDF(544.6KB)
AlAs選択酸化を利用する極微構造InGaAs/GaAs面発光レーザに関する基礎的検討
羽鳥　伸明 向原　智一 大軒　紀之 水谷　章成 阿部　誠 松谷　晃宏 小山　二三夫 伊賀　健一 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1997/09/25
Vol. J80-C1  No. 9  pp. 407-413
論文種別:  論文
専門分野: レーザ・量子エレクトロニクス
キーワード: 
光インタコネクション, 面発光レーザ, AlAs酸化膜, 非発光再結合電流, 
 あらまし | 本文:PDF(501.3KB)