杉山 隆英


固相結晶成長法により作製されたlateral Power MOS FET の温度特性 のデバイスパラメータ依存性
樹神 雅人 杉山 隆英 上杉 勉 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1999/06/25
Vol. J82-C2  No. 6  pp. 308-313
論文種別:  論文
専門分野: 半導体材料・デバイス
キーワード: 
SOISPEtemperaturelateral Power MOS FET
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