朽網 道徳


鉛フリーめっき端子部のウィスカ要因と発生形態
作山 誠樹 朽網 道徳 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2009/11/01
Vol. J92-C  No. 11  pp. 606-612
論文種別:  特集論文 (次世代電子機器における先端実装技術と環境調和型実装技術論文特集)
専門分野: 
キーワード: 
鉛フリーめっきウィスカ再結晶潜伏期間
 あらまし | 本文:PDF(1.1MB)

Siの異方性エッチングと直接接合を用いた微小液滴形成ユニットの研究
朽網 道徳 谷口 修 菊地 英幸 江刺 正喜 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2007/10/01
Vol. J90-C  No. 10  pp. 671-682
論文種別:  論文
専門分野: 機構デバイス
キーワード: 
異方性エッチングKOH液滴形成Si単結晶直接接合
 あらまし | 本文:PDF(1.5MB)

微小液滴形成ユニットのための印刷型圧電アクチュエータの研究
朽網 道徳 塚田 峰春 肥田 勝春 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2007/08/01
Vol. J90-C  No. 8  pp. 589-599
論文種別:  論文
専門分野: 機構デバイス
キーワード: 
圧電層Pb(Ni1/3Nb2/3)O3-PbTiO3-PbZrO3液滴形成Si単結晶スクリーン印刷
 あらまし | 本文:PDF(1.5MB)