徳田　博邦

ZrO2/Al2O3積層膜をゲート絶縁膜に用いたn-GaN MISダイオードの比誘電率と界面特性
樹神　真太郎 徳田　博邦 原　正明 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2015/02/01
Vol. J98-C  No. 2  pp. 27-33
論文種別:  論文
専門分野: 半導体材料・デバイス
キーワード: 
GaN, Al2O3, ZrO2, 界面準位密度, 比誘電率, 
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GaAs陽極酸化とマイクロ波帯MOS電界効果トランジスタへの応用
徳田　博邦 安達　芳夫 生駒　俊明 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1979/08/25
Vol. J62-C  No. 8  pp. 580-587
論文種別:  論文
専門分野: 
キーワード: 
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