徳田 博邦


ZrO2/Al2O3積層膜をゲート絶縁膜に用いたn-GaN MISダイオードの比誘電率と界面特性
樹神 真太郎 徳田 博邦 原 正明 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 2015/02/01
Vol. J98-C  No. 2  pp. 27-33
論文種別:  論文
専門分野: 半導体材料・デバイス
キーワード: 
GaNAl2O3ZrO2界面準位密度比誘電率
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GaAs陽極酸化とマイクロ波帯MOS電界効果トランジスタへの応用
徳田 博邦 安達 芳夫 生駒 俊明 
誌名:   電子情報通信学会論文誌 C
発行日: 1979/08/25
Vol. J62-C  No. 8  pp. 580-587
論文種別:  論文
専門分野: 
キーワード: 
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